本发明涉及一种铁硅磁性薄膜及其制备方法，其成分质量百分比含量为：2.0～10.0wt.％Si，以及余量的Fe。其制备方法包含：将分别含有铁、硅元素的材料以
粉末冶金的方法制备合金靶材；选择单晶硅作为基底材料；将基底材料加热至20‑200℃之间；进行磁场真空蒸镀，真空蒸镀在保护气中进行，所述真空蒸镀的参数为，背底真空度高于7×10
‑5Pa，靶材加热功率为40‑80W，靶基距为45‑80mm，保护气体气压为0.3～2Pa，磁场通过高温磁铁产生，即获得铁硅磁性薄膜。与现有技术相比，本发明制备得到的铁硅磁性薄膜表面均匀，粗糙度低，具有优异的软磁性能，矫顽力低于2Oe，饱和磁感应强度高于9000Oe，且其制备方法的工艺可操作性强，制造成本低，对于磁性薄膜的应用发展前景有重要应用及意义。
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来源：北方有色网
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