一种
稀土钪钨基高电流密度电子发射体材料及其制备方法,属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。本发明的材料的特征在于:它含有氧化钪、铼和钨,其中氧化钪占该电子发射体材料重量百分比为1-10%,铼占0-5%,其余为钨。本发明提供的制备方法特征在于,它包括以下步骤:在蓝钨中,以硝酸钪水溶液形式加入1-10%的氧化钪,同时以铼酸铵水溶液的形式加入0-5%的铼,在氢气气氛中, 500-650℃下还原0.5-1.5小时,800-1000℃下还原保温1-3小时,得到掺杂氧化钪的钨粉;将上述钨粉采用常规的
粉末冶金方法制备烧结体;浸渍
铝酸盐,超声波清洗和退火后,制成电子发射体材料。本发明的电子发射体材料发射性能均匀,提高了耐高温、抗离子轰击能力,而且本发明的制备方法工艺重复性好。
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“稀土钪钨基高电流密度电子发射体材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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