本发明披露了由升级的冶金级硅形成
太阳能电池器件,其已接受至少一种缺陷设计工艺,并包括低接触电阻电路径。抗反射涂层形成于发射极层上而背接触形成于本体硅衬底的背面上。该
光伏器件可以在可避免先前缺陷设计工艺逆转的足够低的温度下烧制形成背面电场。该工艺进一步在抗反射涂层中形成开口并在该涂层中的开口上形成低接触电阻金属层,如
镍层。该工艺可以对低接触电阻金属层退火而形成n-掺杂部分并完成n-掺杂层的电传导路径。这种低温金属化(例如,<700℃)支持使用UMG硅用于太阳能器件形成而不存在逆转早期缺陷设计工艺的风险。
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“使用基于低等级原料材料的晶体硅的太阳能电池及制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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编辑：管理员
来源：北方有色网
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