本发明公开了一种低电阻率
铜铟镓硒四元合金溅射靶材及其制备方法，所述靶材包括的物相有Cu(In0.7Ga0.3)Se2，CuInSe2及Cu2Se相, 所述靶材的物相中Cu(In0.7Ga0.3)Se2物相占物相总和的95％以上，CuInSe2和Cu2Se相占总物相的1～5％。本发明的溅射靶材的制备方法包括：粉末制备，粉末混合，
粉末冶金烧结等工序，所述粉末制备包括CuIn0.7Ga0.3Se2单相合金粉末的制备，所述CuIn0.7Ga0.3Se2单相合金粉末通过真空反应合成的方法制备，真空度≥10-1Pa，反应温度在500～700℃，升温速率不大于5℃/min。本发明的溅射靶，电阻率低，致密度高，晶粒尺寸细小均匀，能够进行中频或直流溅射，可大大提高铜铟镓硒薄膜的溅射速度，同时节约设备投入成本。
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“低电阻率铜铟镓硒四元合金溅射靶材及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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