本发明公开了一种锆氢晶粒增长抑制剂的制备工艺及其用途，其中锆氢晶粒增长抑制剂的制备工艺为将海绵锆或切碎的金属锆置入氢破碎炉中，将氢破碎炉抽真空至1×10－1Pa，然后再在氢破碎炉中通入氢气至0.05MPa～0.2MPa；加热氢破碎炉至200℃～600℃，锆与氢气反应生成锆氢化合物为锆氢晶粒增长抑制剂，分子式为ZrHx；其具有简单实用、无需脱氢的显著实质性的特点；该锆氢晶粒增长抑制剂的用途能应用于包含有硬质合金、磁性材料在内的
粉末冶金领域，以及陶瓷领域；其具有极易破碎到微米级的用途特点，特别对于烧结
钕铁硼磁体的制备作用明显。
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来源：北方有色网
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