本发明涉及晶体硅
太阳能电池领域,特别是指低纯度单晶硅太阳能电池的制造方法,将纯度为4N～5.5N的硅片首先进行高温煅烧,然后进行清洗和表面织构化处理,使硅片表面形成金字塔结构绒面,并采用等离子体增强化学气相沉积镀膜厚为0.1-10μm的本征硅膜,再经过晶体硅太阳能电池的常规工艺进行处理,制成低纯度单晶硅太阳能电池,克服了4N～5.5N的硅片采用普通晶体硅太阳能电池的制造方法制造的电池漏电流过大而无法使用的缺点,使得冶金法制得的4N～5.5N的硅片可用于制造太阳能电池。
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“低纯度单晶硅太阳能电池的制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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