一种选择性电镀半导体输入/输出(I/O)焊盘的方法,包含在半导体基体的钝化层上形成钛-钨(TiW)层,所述TiW层还延伸到成形于所述钝化层上用于露出所述I/O焊盘的开口中,使得TiW层覆盖所述开口的侧壁和所述I/O焊盘的顶面。在所述TiW层上形成种子层。选择性去除所述种子层的一部分,使剩余的种子层材料对应于所述I/O焊盘的所需的互连冶金位置。使用所述TiW层作为导电电镀介质,在所述种子层材料上电镀至少一个金属层。
声明：
“选择性电镀半导体器件的输入/输出焊盘的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
797
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
