本发明是一种利用
粉末冶金技术来制备二硅化钼电热元件或耐高温结构件的方法。本发明是将粉体颗粒体积百分比含量为16～64％的Si、0～70％的(Mo1－zWz)Si2、0～40％的Mo3Si、0～50％的(Mo1－zWz)5Si3、以及0～45％的陶瓷和粘土等混合粉料制成胚件，在非氧化环境中进行烧结，其中，烧结温度高于Si相的熔点，低于上述Mo－Si系的三个化合物及它们的共晶体的熔点，z=0～0.5，表示晶体中W原子数对W、Mo原子总数的比例。Si与(Mo1－zWz)5Si3或Mo3Si反应合成(Mo1－zWz)Si2相，并使晶粒直接结合，所以不但可提高材料的高、中、低温性能，降低生产成本，而且适应性广，可满足不同性能和成本要求的二硅化钼元件或构件。
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“二硅化钼电热元件或耐高温结构件的生产方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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