本发明涉及一种Ag‑Ga‑Zn‑Te四元p‑型热电半导体及其制备工艺。其设计要点在于该Ag‑Ga‑Zn‑Te四元p‑型热电半导体是由Ag0.317Ga0.561Te中的部分Ga元素等摩尔量替换为Zn元素，所述Zn元素在所述Ag‑Ga‑Zn‑Te四元p‑型热电半导体中的摩尔分数为0.01～0.053，所述Ga元素在Ag‑Ga‑Zn‑Te四元p‑型热电半导体中的摩尔分数为0.24～0.29，所述Ag‑Ga‑Zn‑Te四元p‑型热电半导体的化学式为Ag0.317Ga0.561‑xZnxTe，其中0≤x≤0.1。本发明采用常规的
粉末冶金法制备，工艺简单；采用金属元素Zn等摩尔替换Ag0.317Ga0.561Te中Ga元素，成本较低；材料具有环保特性，无噪音，适合作为一种绿色能源材料使用。
声明：
“Ag‑Ga‑Zn‑Te四元p‑型热电半导体及其制备工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
988
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
