本发明的一种实施方式提供一种用于制造
太阳能电池的方法。所述方法包括:熔化冶金级(MG)Si原料,放低单晶Si籽晶以接触熔化的MG-Si的表面,从所述熔化的MG-Si中缓慢拉出单晶Si锭,将Si锭加工成单晶Si晶片以形成用于后续外延生长的MG-Si衬底,沥出所述MG-Si衬底中的残余金属杂质,在所述MG-Si衬底上外延生长掺杂有硼的单晶Si薄膜层,将磷掺杂入所述单晶Si薄膜以形成发射层,在所述单晶Si薄膜顶部上沉积抗反射层,以及形成前电接触和背电接触。
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“在冶金级Si晶片上通过使用CVD外延Si膜制造的太阳能电池” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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