一种改善冶金法
多晶硅生长界面的方法，包括：(1)将多晶硅硅料装入高纯石英坩埚放入定向凝固炉中，抽真空至炉内真空度< 10Pa；(2)将炉温升至1450?1550℃，熔化硅料；(3)对硅料外场处理，磁强0.15?0.5T，10?30?min；随后炉体以5?10℃/min降温，炉体运动部分以5?10?mm/h下移，硅熔体脱离加热器长晶，1100?1200℃时关闭磁场；(4)长晶后，炉体运动部分以2?4mm/s上升至炉腔中初始位置，后将温度升至1250?1350℃，保温2?5h后冷却，冷却速率< 4℃/min。本发明采用外加静态磁场来调控硅料生长过程中固液界面形态，得到平滑的固液界面，获得了理想的柱状晶粒组织，改善了硅锭质量；工艺环境更友好，与企业现有技术兼容，适用于规模化生产。
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来源：北方有色网
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