本发明涉及半导体用高纯钽靶材的
粉末冶金制备方法，尤其是一种用粉末冶金法制备高性能钽靶材的方法。其特点是，包括如下步骤：(1)将要烧结的钽粉末装入模具中；(2)将模具放入电火花烧结炉中对粉末进行放电等离子烧结；(3)烧结结束后，冷却至不超过160℃后出炉，脱模；(4)对得到的钽靶坯机械加工成所需尺寸即可。采用本发明的方法可以得到粒度均匀、无织构的内部组织，提高靶材性能，本发明方法还具有烧结温度低，可快速烧结出致密钽靶材，靶材内部晶粒均匀细小，无择优取向等特点。
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来源：北方有色网
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