本发明公开了一种冶金法除硼、磷提纯工业硅的方法，包括以下步骤：1）将工业硅块置于真空环境下加热至硅完全熔化，并保持该温度40-80min以精炼硅块；2）在步骤1）的真空环境中导入含氧气、水蒸气的保护气氛以使得保护气氛中的氧气、水蒸气与硅块中的杂质充分反应，保护气氛的导入流量为50-100ml/min；此步中，工业硅块依然处于熔化状态；3）将上步的环境降温至工业硅块处于固态得到硅锭，切除该硅锭的渣相层即可。本工艺流程可以纯化各种型号的工业硅，且无需对样品进行粉碎球磨，只需简单的破碎，对样品尺寸要求较宽；本工艺无需任何酸洗步骤，避免了大量强腐蚀性酸的使用，简化了工艺，降低了成本；本工艺可以将磷、砷、锑、钙等杂质去除到满足太阳能级
多晶硅要求；硼杂质降低至1.5-0.3ppmw，满足太阳能级多晶硅标准。
声明：
“冶金法除硼、磷提纯工业硅的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1038
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
