本发明公开了一种水热腐蚀去除冶金级硅中杂质P的方法。按下述步骤进行：a）硅块的破碎：将硅块制成100～500目的硅粉；b）硅粉预处理：依次用盐酸、双氧水、氢氟酸、甲醇、纯水对硅粉清洗并放入鼓风干燥箱干燥；c）硅粉的腐蚀：将预处理的硅粉用腐蚀液进行水热腐蚀、保温，之后倒进放有中速滤纸的漏斗中，用去离子水进行清洗、过滤后放入鼓风干燥箱中干燥，即得去除杂质P的硅；所述的腐蚀液为氧化剂、辅助剂、氢氟酸、纯水组成的混合溶液。本发明制备工艺简单，易操作，成本较低，能够有效的降低冶金级硅中的P浓度，并能在工艺上使P的浓度很容易的控制。为冶金级硅中杂质P的去除提供了一种新的方法。
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来源：北方有色网
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