硅粉表面刻蚀装置,属于等离子体应用,目的在于缩短反应时间,减化结构,提高硅粉纯化效率。本发明反应室上连接投料罐、出料罐和刻蚀气体输送系统,反应室内平行装有板式阳极和阴极,阴极与水冷装置连接,水冷装置通过密封波纹管与反应室底部活动连接,水冷装置底端通过振动转换杆连接振动源;密封波纹管、振动转换杆和振动源位于底架上,底架与反应室底部固定连接并安装于倾角调整支架上。本发明倾斜式的振动阴极使粉粒总处于阴极表面附近缓慢下滑,振动使粉粒均布于阴极,打散硅粉团块,该处离子能量最高刻蚀速率也高,下滑时间高达5至10分钟,因此可一次处理满足刻蚀要求;由于只采用氩气进行物理刻蚀,非常有利于环保和操作人员健康。
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来源：北方有色网
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