本发明涉及制备三氯氢硅和
多晶硅的改进方法和装置。在多晶硅制备中由氯氢化法来制备三氯氢硅,其包括A)冶金硅在烘粉炉中加热到300-500℃,然后装入反应器;B)通过外部加热装置将四氯化硅汽化、加热,形成温度为160-600℃的四氯化硅气体;C)通过外部加热装置将氯化氢气体预热到150-300℃;D)通过加热器将氢气预热到300-600℃;和E)将步骤B)、C)和D)的气体加入反应器,其中氢气与四氯化硅的摩尔比为1-5∶1,氯化氢与四氯化硅的摩尔比为1∶1-20,并使反应器保持在400-600℃的温度和1.0-3.0MPA的压力。本发明方法能够成本有效地制备适用于半导体工业和
太阳能电池的多晶硅。
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“制备三氯氢硅和多晶硅的改进方法和装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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