本发明公开了一种用复合腐蚀剂和磁选的方法去除
多晶硅表面杂质的技术,属于物理冶金领域。金属硅原料经粗破、细破、筛分、磁选后,放入带搅拌的容器中,加入腐蚀剂,加温,搅拌,滤液循环使用,滤饼经洗涤、脱水、烘干得脱杂多晶硅,可作为提纯铸锭或电子束炉等其它火法提纯的入炉料。本发明采用
湿法冶金的方法大大降低了火法设备除杂的生产成本,是一种工业上可大规模实施的操作简单,低投资、低能耗的新型多晶硅湿法冶金法除杂方法。可将不经任何选别提纯预处理的原料多晶硅中金属杂质从几千ppmw降低至200ppmw以下。摒弃了直接火法冶金法电耗大、设备投资大的弊端,提供一种工业上可大规模实施的操作简单,低投资、低能耗的一条可行的新途径。
声明：
“去除金属硅表面杂质的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
738
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
