公开一种利用含硫属元素的蒸气形成半导体前体层的高生产量方法。在一种实施方案中,所述方法包括形成包含任何形状的IB族和/或IDA族颗粒的前体材料。该方法可以包括在衬底表面上形成前体材料的前体层。该方法可以进一步包括在基本上无氧的硫属元素气氛中加热颗粒前体材料至足以使颗粒反应并且从硫属元素化物颗粒中释放硫属元素的处理温度,其中该硫属元素呈液体形式而且充当助熔剂以改善元素混合从而形成期望化学计量比的IB-IIIA族硫属元素化物膜。硫属元素气氛可以提供大于或等于处理温度下前体层中的液体硫属元素的蒸气压的分压。
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“利用硫属元素和金属间材料的半导体层高生产量形成” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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