本发明涉及热电材料领域，是一种具有黄
铜矿结构的Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体及其制备工艺。其设计要点在于所述Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体中的部分Cu元素等摩尔替换为Sb元素，所述Sb元素在所述Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体中的摩尔分数为0～0.025，Cu元素在所述Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体中的摩尔分数为0.225～0.25。所述Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体的化学式为Cu1-xGaSbxTe2，其中0≤x≤0.1。本发明采用常规的
粉末冶金法制备，工艺简单；采用金属元素Sb等摩尔替换Cu-Ga-Sb-Te四元热电合金中Cu元素，成本较低；材料具有环保特性，无噪音，适合作为一种绿色能源材料使用。
声明：
“具有黄铜矿结构的Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体及其制备工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1005
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
