本发明公开了一种Co掺杂NiO纳米片阵列薄膜电极的制备方法，该方法为：一、将NiCo合金基片机械加工后打磨光亮，超声除油，去离子水清洗后自然风干；二、将NiCo合金基片置于水热反应釜中进行热处理，得到含Co的NiO纳米片阵列薄膜；三、焙烧得到Co掺杂NiO纳米片阵列薄膜电极。本发明工艺步骤简单，劳动强度低，具有环境友好、制备成本低和可工业放大的优势，制备的Co掺杂NiO纳米片阵列薄膜作为超级电容器的
正极材料使用时，其比电容是未经改性的NiO纳米片阵列薄膜的2.5～3.8倍，
电化学性能得到大幅提升，尤其是当放电电流密度提高20倍时，其比电容量仍能得到较好维持。
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“Co掺杂NiO纳米片阵列薄膜电极的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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