本发明采用电子束注入去除
多晶硅中杂质硼的方法属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域,特别涉及一种利用电子束进行电子注入,从而去除多晶硅中杂质硼的方法。该方法首先利用高温加热炉加热硅粉,然后将其置于电子束熔炼炉中,低束流电子束轰击硅粉,最后用HF酸溶液除去硅粉表面氧化膜得到低硼硅粉。本发明的显著效果是采用了电子束释放电子显负电的电效应,结合硅材料本身的特点,增强了硅料自身的微电场,在温度的驱动下使硼扩散到界面进而进入到二氧化硅层中,最后酸洗去除含有硼的二氧化硅膜,从而达到去除杂质硼的目的,以满足太阳能级硅的使用要求,其提纯效果好,稳定性好,能耗小,成本低,工艺简单,周期短,生产效率较高。
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来源：北方有色网
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