本发明一种去除
多晶硅中杂质磷和金属杂质的方法及装置,属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域,特别涉及一种利用电子束熔炼技术将多晶硅中的杂质磷和金属杂质去除的方法。用电子束熔炼和感应加热相互配合的方式,完成对多晶硅的熔炼和凝固过程。用高纯硅粉平铺在水冷
铜底座填满石英坩埚的镂空空间;将多晶硅料装入石英坩埚中,关闭真空装置盖;抽真空过程,先用机械泵、罗兹泵将真空室抽到低真空,再用扩散泵将真空抽到高真空;所用的装置由真空装置盖、真空圆桶构成装置的外壳,真空圆桶内腔即为真空室,真空室内装有熔炼系统。本发明有效提高了多晶硅的纯度,具有效率高、装置简单、节约能源的优点。
声明：
“去除多晶硅中杂质磷和金属杂质的方法及装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
903
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
