本发明公开了一种降低电子束熔炼
多晶硅能耗的装置和方法，属于冶金领域，装置包括水冷熔炼坩埚，所述水冷熔炼坩埚内壁底部设有10～50mm石墨衬底，所述石墨衬底上表面有SiC膜层；在熔炼坩埚与硅熔体之间增加石墨衬底，由于石墨材质的热导率远远小于
铜材质的热导率，所以在熔炼过程中会减少热量被水冷熔炼坩埚大量带走而带来的热量损失，从而达到节能的目的；加入石墨衬底后，若保持电子枪功率不变，可使熔炼时间缩短1/5～1/2；加入石墨衬底后，若保持熔炼时间不变，可使熔炼功率降低1/4～1/2；形成的SiC膜层可多次使用。
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来源：北方有色网
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