本发明公开了一种可调节多品硅生长速度的热场坩埚使用方法，包括以下步骤：S1、将硅矿石原料经粉碎后进行清洗工序，清洗完成后，放入干燥机中进行干燥处理，并控制含水率在0.7％以内，将干燥后的硅矿石进行磁选处理，除去硅矿石中夹杂的杂质；S2、在热场部件中的
石墨坩埚的内表面加垫一层石墨纸，使石墨纸将石墨坩埚完全铺满，不留缝隙，同时将石英坩埚放置进石墨坩埚内，压紧石墨纸。本发明能对原料进行严格的筛选，从而有助于从源头提升生产质量，并且能很好的降低硅中的氧气含量，有助于延长石墨坩埚的使用寿命，并且能根据需要控制硅的生长速度，进而便于工作人员进行控制，有助于提升生产的安全性。
声明：
“可调节多品硅生长速度的热场坩埚使用方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1153
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
