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含有蒙脱石纳米片的介电储能复合材料的制备方法及应用

474 编辑：中冶有色网来源：上海第二工业大学

2025-10-20 14:34:22

权利要求 1.一种含有蒙脱石纳米片的介电储能复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.制备钠基蒙脱石(Na-MMT)悬浊液先对钠基蒙脱石进行粉碎预处理，称取预处理后的钠基蒙脱石粉末，加入去离子水搅拌，随后对悬浊液进行超声处理，得到悬浊液a; S2.制备改性后的钠基蒙脱石(OMMT)二维纳米片将十六烷基三甲基溴化铵加入上述钠基蒙脱石悬浊液a中，在55～60℃恒温水浴条件下充分搅拌均匀;随后转移至反应釜中，在80～100℃下反应;反应结束后收集沉淀物并进行初步真空干燥，再将沉淀物转移至培养皿中，于60～80℃下真空干燥;干燥后研磨，得到改性后的钠基蒙脱石二维纳米片; S3.制备聚醚酰亚胺混合溶液将聚醚酰亚胺颗粒加入N-甲基吡咯烷酮溶剂中，在50～55℃恒温水浴条件下搅拌至完全溶解，得到聚醚酰亚胺分散液b; S4.制备含有蒙脱石纳米片/聚醚酰亚胺复合材料将改性后的钠基蒙脱石纳米片加入聚醚酰亚胺分散液b中，在50～60℃恒温水浴条件下充分搅拌，得到混合溶液c;将混合溶液c浇铸于预处理过的玻璃基板上，随后置于80℃真空烘箱中干燥，再转入200℃真空烘箱中除去溶剂;上述步骤完成后，将预制薄膜在去离子水中脱膜，所得薄膜再置于60℃真空烘箱中烘干，即得到蒙脱石纳米片/聚醚酰亚胺复合材料，该材料中改性后的钠基蒙脱石纳米片的质量分数为0.25%～0.75%。 2.根据权利要求1所述的一种含有蒙脱石纳米片的介电储能复合材料的制备方法，其特征在于：S1步骤中，所述钠基蒙脱石的搅拌在50～55℃恒温水浴条件下进行，搅拌时间为6～8h;该步骤中的悬浊液采用尖端超声处理4～5h。 3.根据权利要求1所述的一种含有蒙脱石纳米片的介电储能复合材料的制备方法，其特征在于：S2步骤中，所述水浴下机械搅拌的时间为4～6h;反应釜在80～100℃恒温条件下反应10～12h;真空干燥在60～80℃恒温条件下进行，时间为8～10h。 4.根据权利要求1所述的一种含有蒙脱石纳米片的介电储能复合材料的制备方法，其特征在于：S3步骤中，所述聚醚酰亚胺颗粒的质量与N-甲基吡咯烷酮溶液的体积比为(1.45～1.5)g:(9～10)mL

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“含有蒙脱石纳米片的介电储能复合材料的制备方法及应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。

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