本发明提供的一种高Tr‑t和Tc的
铅基<001>C织构压电陶瓷材料及其制备方法，利用(1‑x‑y)Pb(In
1/2Nb
1/2)O
3‑xPb(Sc
1/2Nb
1/2)O
3‑yPbTiO
3(PIN‑PSN‑PT)体系作为织构
陶瓷粉体，x、y均表示摩尔分数，0.405≤x≤0.445，0.365≤y≤0.405；在<001>
C BT模板上进行织构，其主要原理是PIN‑PSN‑PT陶瓷粉体在水平<001>
C BT模板上进行定向生长，获得与单晶类似的各向异性的结构，从而获得接近单晶的压电性能，在此基础上结合4R工程畴在非自发极化方向上极化，最终获得高T
r‑t和T
c及较高压电性能的织构陶瓷。
声明：
“高Tr-t和Tc的铅基<001>C织构压电陶瓷材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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