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本发明公开了一种电子产品失效分析系统及分析方法，属于电子产品失效分析技术领域，包括产品信息获取模块和产品外观比对分析模块，所述产品信息获取模块的输出端与产品外观比对分析模块的输入端电性连接；本发明通过在系统内部同时设置有外观分析、测试分析与非破坏分析，可有效保证该系统对于产品失效分析的全面性与有效性，通过在该系统内还设置有数据综合处理模块，可对于失效原因进行汇总分析，从而给出解决电子产品的失效原因的成本，同时可根据失效原因给出一些产品使用建议，从而可有效为电子产品的生产厂家提供有效的改善生产的理论依据，同时可给予用户有效的避雷建议，从而有效降低电子产品使用时的失效率，提高了该系统的应用效果。
本发明公开了TSV圆片级封装MEMS芯片的失效分析装置及其分析方法，该装置由显微镜、反光盒和探针系统组成；反光盒由外壳、外壳中两个互成90°的反光镜和外壳顶部开口处的透明玻璃组成，反光镜与外壳底面夹角为45°；探针系统包括探针、探针臂和探针座，探针通过探针臂与探针座连接，探针上连接导线，导线与测试装置或电源连接。该装置利用反光镜改变光线方向，不需背面镜头，就可以用于分析MEMS芯片的失效机理，结构简单，效果好。本发明的分析方法为：将待分析MEMS芯片放置在透明玻璃上，在压焊块上扎上探针；通过导线向MEMS结构输入激励电压；通过显微镜观察MEMS结构的响应判断MEMS器件的失效机理。该方法操作简单，能够快速、准确地对待分析MEMS芯片进行失效分析。
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本发明涉及基于大数据分析的设备失效模式诊断特征参量分析方法。本发明先通过检验样本获得设备的失效或故障模式，进一步通过极大似然估计后的函数f对特征参数求偏导数，通过偏导数绝对值的大小来判定特定失效或故障模式中不同特征参数的重要度。即通过对偏导数绝对值进行排序，就可以识别出设备失效或故障模式的关键特征参量，这为开展设备的失效或故障模式诊断指明了方向。
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本发明公开了一种失效分析中分析晶格缺陷的TEM样品制备新方法。该方法使用手动研磨代替聚焦离子束来制备TEM样品，使样品中的晶格缺陷在极小或极浅的情况下均能被发现，而且不受晶格缺陷的方向的影响。极大地促进了晶格缺陷的发现与观测，准确率高，对TEM样品的制备的研究具有重要意义。
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本发明公开了一种高阶芯片失效分析物理去层分析方法，包括：提供芯片及芯片上待进行物理去层的关注区域，芯片包括自下而上制备于衬底上的第一金属层、第二金属层、……、第N-2金属层、第N-1金属层以及第N金属层，其中，8≤N≤10；自上而下依次刻蚀第N金属层、第N-1金属层、第N-2金属层、……、第二金属层以及第一金属层；其中，刻蚀第N-1金属层，包括：采用BOE刻蚀剂以第一刻蚀时间刻蚀关注区域内的第N-1金属层上的氧化层；采用反应离子刻蚀法以第二刻蚀时间刻蚀第N-1金属层上的氧化层至关注区域内的第N-1金属层露出金属铜；研磨金属铜至关注区域内的第N-1金属层完全去除。
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本发明涉及一种二极管失效分析装置及其对二极管分析方法。它包括本体、储物柜、排污管、水池、抽风挡板、进水管、电热炉，本体上端中间开有工作空间，工作空间内侧斜上方装有抽风挡板，工作空间中间一侧有进水管装在本体内侧，工作空间下端一侧开有水池，抽风挡板是倾斜安装在本体内部上端，抽风挡板与本体内部上端之间是镂空空间，镂空空间下端连接排污管，镂空空间上端有抽风口，抽风口上端装有抽风机，抽风机上端连接排气管，排气管另一端连接通往废气收集机构。优点是装置设计巧妙，使用方便，结构简单紧凑，安全可靠，采用侧吸式解决了气体上冲或者冷凝液滴下问题，排出气体通过废气回收装置回收，保护环境，提高工作效率。
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一种失效检测方法以及失效分析装置,用于检测导电体上的缺陷,所述失效检测方法包括:在待测导电体上设置至少两个输出端,且所述输出端电势位相等;依次向所述待测导电体上沿预定路径排列的检测点输入恒定的检测电流;检测各输出端的输出电流;基于各检测点的位置信息以及各输出端的输出电流信息,建立输出端输出电流与检测点位置之间的对应关系;根据所述对应关系判定检测点是否存在缺陷。本发明所提供的失效检测方法,能够精确进行缺陷定位;并且使用带电粒子束作为检测电流源以避免照射点的尺寸限制,满足了小尺寸失效分析的需求。
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本发明实施例提供的半导体器件失效分析方法、装置、设备及存储介质，通过物理检测获取正常半导体器件的目标检测参数，目标检测参数包括正常半导体器件对应失效半导体器件上的失效点区域的检测参数，其包括失效点区域的表面检测参数、失效点区域的元素浓度检测参数、失效点区域的剖面检测参数；然后将获取到的目标检测参数作为预设仿真算法的输入参数输入，通过预设仿真算法结合预测失效结果，从而得到失效半导体器件的失效原因。也即本发明实施例实现了对失效半导体器件失效原因的逆向分析，以真实的失效半导体器件作为直接的分析对象，分析结果为全面、准确。
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本发明公开的属于PCBA失效分析方法技术领域，具体为一种PCBA失效分析方法，包括以下步骤：S1：对PCB板进行外观光学检查，判断其是否有污染、开裂或烧焦现象；S2：对步骤S1中判断有污染的PCB板通过红外光谱分析判断其是否有机物污染，若有，检测出有机物种类；通过元素分析判断其是否有无机物污染，若有，检测出无机物种类；S3：对步骤S1中判断有污染或开裂的PCB板进行电性能检测，判断其是否有电性异常；本发明的PCBA失效分析方法对PCB板的失效分析全面，本发明通过外观光学检查、污染物检测、电性能检测、X‑RAY射线检测、金相显微镜检测和SEM+EDS分析，能够有效的检测处PCB板的失效原因。
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本发明提供一种存储器芯片位线失效分析方法,包括以下步骤:通过机械研磨去除待分析芯片的互连金属层和位线层的大部分;通过机械研磨去除待分析芯片的衬底的大部分;通过湿法刻蚀完全去除待分析芯片的残存的衬底;通过干法刻蚀去除待分析芯片位线接触窗底部的介质层的大部分,保留一薄层的介质层;对待分析芯片的位线接触窗的顶部进行检测,确定位线失效的具体位置。本发明方法可使待分析芯片充分减薄,可直接通过电子显微镜进行观测确定其位线短路失效的具体位置,大大提高了工作效率,节省了时间成本。
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本发明涉及一种失效分析标准流程生成方法及系统，属于失效分析技术领域，解决了现有无法自动生成失效分析标准流程的问题。包括：构建失效分析知识图谱，基于失效分析知识图谱，构建新零件的物理结构类和故障现象类实体及其属性和关系，根据实体相似度，建立新零件与旧零件的实体对齐关系；依次取出新零件的故障现象类的检测项目实体，根据实体对齐关系，获取当前检测项目实体对应的旧零件的检测项目实体，根据旧零件的检测项目实体关联的物理结构类和检测流程类实体，构建新零件当前检测项目实体关联的检测流程类实体及其属性和关系；根据新零件的检测流程类实体及其属性和关系，生成失效分析标准流程。实现了失效分析标准流程的自动化和标准化。
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本发明提供一种存储器芯片位线失效分析方法,用以对包含埋入式位线及金属位线结构的存储器芯片进行位线失效分析,每条所述埋入式位线与相应的所述金属位线之间通过多个位线接触窗相连,所述方法包括以下步骤:去除所述存储芯片的金属位线之上的钝化层、互连金属层及层间介质层,暴露出所述金属位线;通过电测试确定存储芯片上相互之间存在短路的两条金属位线,逐段切割其中的一条金属位线,使得该金属位线中连接于相邻位线接触窗的部分之间均被割断;去除存储芯片的衬底及包含在衬底内的埋入式位线,形成检测样片;对所述检测样片进行电势对比成像观测,确定所述短路金属位线的具体失效位置。
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本申请涉及二次电池电芯的失效分析方法。根据一实施例，一种二次电池电芯的失效分析方法包括：获取失效电芯的失效背景信息；对所述失效电芯进行外观检查以获取其外观信息；对所述失效电芯进行无损检测以获取其电化学信息和结构信息；对所述失效电芯进行拆解，并且记录拆解过程；对拆解后获得的所述失效电芯的内部元件进行预处理和取样；以及对所述内部元件的样品进行测试，并且将测试结果与参考电芯的测试结果相比较，以确定关于失效原因的初步结论。利用本发明的方法，能够系统全面地了解二次电池电芯的失效原因和机理，提高失效分析人员的效率和水平，同时积累失效分析数据库，对本行业的长远发展提供帮助。
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本申请公开一种用于电力设备失效分析的专家系统及方法，专家系统包括：用户端、AI专家及人类专家端；人类专家端包括多个各领域的人类专家；用户端用于发送电力设备的视频、图像及数据信息至AI专家；AI专家用于对用户端传输的视频、图像及数据信息进行算法识别及分析；用户端补充并修正数据资料，同时根据AI专家的需求取样，将失效样品标识及送检，人类专家端用于对送检的失效样品检测及分析；AI专家用于根据算法识别及分析的数据或人类专家检测分析的数据给出分析结果；用户端用于根据分析结果对失效电力设备缺陷处理。采用的方案能够有效的解决电力设备失效分析工作中运维人员技术能力不足、失效分析多专业融合难度大及网络传输质量差等问题。
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本发明揭示了一种半导体器件的失效分析方法及其设备，该方法包括以下步骤：S1：对半导体器件进行失效位置分析确认失效信息；S2：确认目标位置的观测对象包括单个对象还是多个对象；S3：如确定观测对象包括单个对象，则检测单个对象的X和Y方向边界尺寸和方向；S4：如确定观测对象包括多个对象确认观测单个对象，检测单个对象的X和Y方向边界尺寸和方向；选择对应单个对象的电路布局图，根据检测到的边界尺寸和方向，对单个对象的观测画面与其电路布局图进行匹配，使单个对象在观测画面上各个组件与其电路布局图上的位置一一对应。该方法可将观测画面的位置与实际电路布局图上的位置匹配，快速找到观测对象目标，提高了失效分析效率。
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本发明公开了一种塑料结构件失效原因的分析方法及装置，所述方法包括：先获取待检测对象的样品数据，再根据样品数据判断所述待检测对象是否需要执行内应力分析：若是，则对待检测对象执行形貌分析、成分分析和内应力分析；否则对待检测对象执行形貌分析和成分分析，最后根据上述各分析结果，生成综合分析结果。采用本发明实施例提出的分析方法步骤详尽、重现性高，且通过采用多种分析方法对塑料结构件进行分析，提高了塑料结构件失效原因的分析结果的准确度。
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本发明涉及一种失效分析标准流程调整方法及系统，属于失效分析技术领域，解决了现有失效分析标准流程无法动态调整和生成问题。包括基于历史维修记录获取故障点的良率，通过聚类分析故障点的良率，得到故障点中的正常点，统计正常点的故障发生概率；基于失效分析知识图谱，将正常点的故障发生概率作为相应检测步骤实体的故障发生概率；根据检测步骤实体及实体间的关系，获取各检测流程下具有顺序的检测步骤，作为初始步骤集合；根据检测步骤实体的故障发生概率，对初始步骤集合中的检测步骤顺序进行调整，根据调整后的初始步骤集合，得到各检测流程下调整后的失效分析检测流程。实现了失效分析标准流程的动态调整。
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本发明提供一种基于高温光发射显微分析技术的失效点定位方法，属于失效分析技术领域，包括：提供一具有承载平台的加热装置、一温度监测装置、一电压激励源以及一检测组件，将测试样品放置于承载平台上，并将电压激励源连接测试样品；通过加热装置将测试样品加热到预定温度，温度监测装置提供给测试者监测测试样品的实时温度，在实时温度到达预定温度时通过电压激励源向测试样品施加预定数值的电压激励，通过检测组件进行基于光发射显微分析技术的检测操作得到失效点的定位信息。本发明的有益效果：定位处于高温状态下的测试样品的漏电失效点，以找到失效原因，提升经济效益。
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本发明提供了一种客车冷却系统失效分析方法及系统，属于客车技术领域，客车冷却系统失效分析方法，S1:通过流量检测装置和温度检测装置，检测预设流量检测点冷却液的流量、预设温度检测点冷却液的温度；S2：将冷却液的流量与预设流量范围比较，将冷却液的温度与预设温度范围比较，分析冷却系统的失效方式。本发明具有检测方法简单合理，有效确保冷却系统正常工作，提高工作部件的使用寿命的优点。
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为了解决现有技术中失效晶片检测过程极为复杂、检测周期相对较长、容易产生失败检测结果、检测成本较高等一系列问题,本发明提供一种对栅氧化层进行失效分析的方法,包括:用热凝胶将失效晶片倒贴在基片上,所述失效晶片包括衬底及衬底上的栅氧化层;将所述失效晶片的衬底研磨至一定厚度或全部去除所述衬底;用碱性溶液浸泡所述晶片表面;对所述失效晶片进行观测,所述控制栅有损坏时,所述栅氧化层有缺陷;所述控制栅没有损坏时,所述栅氧化层完好。本发明的失效晶片检测方法简单、用时较短、不易失败、成本较低。
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本申请实施例公开一种芯片失效分析方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：将主板的多个真实跌落姿态输入到训练完成的芯片失效分析模型；主板包括一个或多个测试芯片；通过芯片失效分析模型输出每个真实跌落姿态下各个测试芯片受到的预测应力值，并根据每个真实跌落姿态下各个测试芯片受到的预测应力值生成与每个真实跌落姿态对应的预测应力值数组；从主板中检测到一个或多个失效芯片时，根据每个失效芯片在多个真实跌落姿态分别对应的预测应力值数组中的预测应力值，确定出导致失效芯片失效的目标跌落姿态。实施本申请实施例，能够准确、高效地复现芯片的失效场景，从而实现对芯片的失效分析。
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本实用新型公开了基于LIBS的锅炉受热面高温失效趋势快速分析装置，包括电源模块、脉冲激光光源模块、光谱探测模块、分析模块和光学组件，所述电源模块分别与脉冲激光光源模块、光谱探测模块和分析模块连接，分析模块与光谱探测模块连接，光谱探测模块还与脉冲激光光源模块连接，所述分析模块利用激光等离子体光谱特征指标与材料组织和力学性能指标之间的关联性，得到被测管道的组织状态和力学性能指标。本实用新型无需割管即可对受热面结构特性和机械性能进行快速分析，在宏观缺陷出现前判断其失效的趋势，可以有效提高检修期间金属检查的效率，促进快速失效分析技术的发展。
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本发明提供一种晶体三极管的失效分析方法，包括以下步骤：对需要进行分析的晶体三极管样品进行外观观察，确认其是否破损之类；对晶体三极管样品进行电性检测，分析可能的实效原因；对晶体三极管样品进行X-Ray透视检查，确认晶体三极管的内部结构；将晶体三极管样品制作成金相切片样品；根据晶体三极管的内部结构，将金相切片样品逐一研磨至金线位置，并在金相显微镜下进行观察分析；综合上述步骤得出的结果，确定晶体三极管的失效原因。本发明与现有技术相比不同的是，本发明的方法提供了观察晶体三极管内部金线的结构与连接情况，从而更深入地找出晶体三极管失效的原因。
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本发明涉及一种发光芯片失效原因背面分析方法。该方法包括：S10、研磨抛光N电极上与光波导对应位置的金属陶瓷层，使光波导对应位置的N电极裸露；S20、在N电极上设置测试连接点，且测试连接点位于光波导在N电极的对应区域之外；S30、供电电路的正极连接P电极上的键合金属线，供电电路的负极连接测试连接点，供电电路提供供电电压以使发光芯片发光；S40、使用光检测设备检测发光芯片背面发出的光，根据获取光确定发光芯片的失效区域。本发明解决了光芯片表面覆盖金属层导致失效现象无法显现的问题，提高光芯片失效分析的准确率。
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本发明公开了二极管检测领域内的新型二极管失效分析装置，包括箱体、反应釜，箱体上端设有进料口，箱体下端设有出料口；箱体顶端设有集风罩，集风罩的顶端设有抽风机，抽风机上连通有冷凝管；箱体的内壁设有两个并列的支撑臂，反应釜的中部铰接在两个支撑臂上；箱体的顶端内壁上设有气缸，气缸的输出端设有伸缩杆，伸缩杆的自由端设有连杆，连杆的另一端铰接在反应釜上；箱体底部设有废液收集箱，冷凝管的另一端与废液收集箱连通。本方案能够完成二极管失效分析实验的多次加热腐蚀，能对挥发的酸液进行抽离和冷凝回收，能对废弃的酸液进行集中回收处理，使实验的危险性更低，减少对环境的污染，更加环保，更方便对二极管进行失效分析实验。
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本发明提供了一种光耦失效分析方法,该方法包括以下步骤:A、对失效光耦进行外观检查,查看是否有明显磨损、开裂等现象;B、对比失效光耦和良品光耦的电性测试图,分析可能的失效原因;C、对比失效光耦和良品光耦的X-Ray透射图片,寻找可能的失效原因;D、对失效光耦进行机械开封和化学开封,对开封后的失效光耦进行扫描电子显微镜观察和能谱仪分析;E、综合分析,确定失效光耦的具体失效原因。本发明有如下优点:本发明方法借助有限的分析仪器,在短时间内快速找到光耦失效的原因。
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本申请提供一种印制线路板烧板失效的根因分析方法及装置，涉及印制线路板技术领域，该方法包括：获取烧板失效的印制线路板的失效基本信息；根据所述失效基本信息，获得所述印制线路板的失效模式；对所述印制线路板进行检测，得到对应的检测结果；根据所述检测结果和所述失效模式，分析得到所述印制线路板的失效根因。该方法及装置可以不用过多地依赖分析人的经验，通过采用合理规范的分析流程，准确地得到烧板失效的根本原因。
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本发明公开一种邦定失效分析方法，包括如下步骤：S1：使用X-ray测厚仪测量镀层厚度；S2：用扫描电镜观察表面形貌是否存在异常；S3：若表面形貌异常，则用线扫分析表面是否存在局部无金，若是则判定为表面形貌异常是导致邦定不良的因素之一。本发明通过扫描电镜可快速观察经过邦定工艺之后的产品表面是否存在形貌异常，得出邦定不良的真实原因与表面形貌异常的关系，为邦定工艺的进一步改进提供基础。使用本方法，还能观察到产品表面是否存在异常污染，再经过针对性地清洗异常污染之后，检测、对比产品前后的邦定性能，可得知邦定不良的真实原因与异常元素污染的关系，为邦定工艺的进一步改进提供基础。
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