本发明实施例提供的半导体器件失效分析方法、装置、设备及存储介质，通过物理检测获取正常半导体器件的目标检测参数，目标检测参数包括正常半导体器件对应失效半导体器件上的失效点区域的检测参数，其包括失效点区域的表面检测参数、失效点区域的元素浓度检测参数、失效点区域的剖面检测参数；然后将获取到的目标检测参数作为预设仿真算法的输入参数输入，通过预设仿真算法结合预测失效结果，从而得到失效半导体器件的失效原因。也即本发明实施例实现了对失效半导体器件失效原因的逆向分析，以真实的失效半导体器件作为直接的分析对象，分析结果为全面、准确。
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来源：北方有色网
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