本发明提供一种
芯片失效分析方法,用于检测芯片栅极的缺陷特征,其步骤包括:通过机械研磨去除进行失效分析的芯片的衬底和有源区的大部分;通过湿法刻蚀去除芯片残存的衬底和有源区;通过干法刻蚀去除芯片的栅氧层的大部分,保留的部分栅氧层用于保护栅极第一
多晶硅层;检测所述第一多晶硅层是否存在缺陷特征。本发明方法可将芯片准确剥离至栅极第一层多晶硅的底部,测得其底部的精确尺寸参数,并可大大提高工作效率,节省时间成本。
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来源：北方有色网
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