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本发明属于软件安全性领域，具体为一种基于失效偏差矩阵的安全性分析方法。以满足航空装备软件安全性分析要求。首先考虑软件系统之间的交联关系，建立系统模型，识别模型中每一个描述功能的场景，结合失效分析规则生成失效偏差矩阵，确定失效模式，并在模型中对失效全过程进行跟踪监控分析，形成规范的航空装备软件安全性分析方法。建立了以面向安全的模型为基础的航空装备软件失效偏差矩阵生成方法，提高了安全性分析的有效性和准确性，避免了安全性分析的主观性和随意性，方法直观、意义明确，便于工程人员的理解和实际操作；建立了标准的，可操作的软件安全性分析流程，使软件安全性分析工作更加规范、完整、可操作。
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本发明涉及SSD失效分析方法、装置、计算机设备及存储介质，该方法包括当SSD出现失效时，获取SSD全盘信息；根据SSD全盘信息构建失效场景，并对失效场景进行分析，以得到分析结果；发送所述失效结果至终端，以在终端显示所述失效结果。本发明通过在SSD出现失效时，导出SSD全盘信息，并根据SSD全盘信息重建失效场景并在本地进行分析，以此形成分析结果，且导出SSD全盘信息可以无限次重建失效场景，能永久保存失效场景，也极大便利了失效分析及问题解决后的验证，实现多种场景的失效分析，提升分析的成功率和准确率。
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本发明涉及半导体缺陷分析技术领域，尤其涉及一种栅氧化层缺陷原貌的失效分析方法，首先在一个预设电压的条件下筛选出具有栅氧化层缺陷的待测半导体结构，然后对该具有栅氧化层缺陷的待测半导体结构进行操作，先研磨掉金属互连层，然后用扫描电镜电压对比方法确定栅氧化层缺陷位置，再依次去除互连线、介电层和栅极，并在剩下的栅氧化层上沉积一层与栅氧化层透射电镜衬度对比度较大的衬度对比层，在有问题的栅极区域进行透射电镜样品制备，最后通过透射电镜来进行分析。通过该方法可以清晰的观察栅氧化层缺陷原貌，为查找栅氧化层制程工艺缺陷提供有力的依据和方向。
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本发明公开了一种基于可靠性屋和粗糙理想点发的故障模式与影响分析方法，以可靠性屋的矩阵结构为基础，通过专家打分的方式，获得失效模式的评分信息；采用粗糙数融合不同专家给出的评分信息，建立失效模式粗糙数评分矩阵；通过分析失效模式的传播机理，建立失效模式传播链，以失效模式的传播方向和强度作为输入，重新构建失效模式粗糙数评分矩阵，在充分考虑风险因素权重差异的情况下，引入理想点(VIKOR)法对失效模式的风险等级进行排序；相比与传统的FMEA方法及其现有的改进发放，本发明能够有效地处理专家评分信息的主观性与不确定性问题，充分考虑了失效模式间的传播影响关系，使得出的分析结果更容易被决策者接受。
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本发明公开了一种多失效模式下工业机器人RV减速器的可靠性分析方法，该方法从主要失效模式入手，建立相应极限状态下的功能函数，确定不同失效模式下的不确定因素，对应于功能函数中的参数变量，确定其分布特性；在得到主要失效模式的功能函数之后，将其转化为Kriging模型，确定模型中的学习函数类型，结合Monte Carlo仿真法进行抽样，拟合所建立的功能函数；进一步根据所需精度要求确定学习停止条件，形成完整的学习过程；根据所建立的AK‑MCS可靠性分析模型计算失效概率和变异系数，验证是否符合精度要求；得到的可靠性分析结果可以反馈多失效模式下工业机器人RV减速器的可靠性问题及优化方法，为其可靠性设计提供有力依据。
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本发明公开了一种石化设备腐蚀失效原因的分析方法和系统，涉及设备管线腐蚀失效技术领域。该分析方法包括：建立腐蚀数据库：腐蚀数据库内包含有以参数形式存储的石化设备的多种腐蚀类型以及每种腐蚀类型的相关信息数据；腐蚀失效原因分析：将采集的实际工况中的腐蚀失效的实时信息输入至腐蚀数据库中进行对比分析；确定腐蚀失效原因。通过该方法及系统可以对炼化企业相关腐蚀失效的设备管线进行腐蚀原因分析，协助设管理人员或腐蚀工程师明晰腐蚀机理和原因，并及时采取相应的防腐措施予以改善，避免同类腐蚀失效的再次发生，降低装置腐蚀失效风险，提高经济及社会效益。
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一种飞机舱门锁机构多失效模式重要度分析方法，通过对飞机舱门锁机构的工作原理进行分析，确定机构系统的输入变量和输出功能特征量，构建飞机舱门锁机构的动力学模型，分析系统的失效机理，确定系统各失效模式及其失效判据；基于飞机舱门锁机构的动力学模型进行仿真计算，得到各失效模式功能特征量的样本；建立基于Copula函数的模式重要度计算模型；将动力学仿真数据代入模式重要度计算模型，得到各失效模式的重要度指标值，进行系统模式重要度分析。将本发明提出的方法拓展应用到其它的机构系统中，尤其含有多个失效模式的机构系统，通过对多个失效模式进行排序筛选，简化系统分析，具有十分重要的工程应用价值。
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本发明涉及一种集成电路芯片失效分析样品的制备方法，包括下列步骤：在集成电路芯片样品上涂抹封装胶，使封装胶覆盖需要进行失效分析的部位；对涂好封装胶的样品进行加热固化；将固化后的样品抛光至所述需要进行失效分析的部位。本发明通过固化的封装胶对需要进行失效分析的部位进行加固，避免其在抛光过程中受力变形，从而能够保留原始形貌。制备过程不需要使用昂贵的设备，制备条件很容易被满足。
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本发明公开了一种基于模型系统的复杂电子装备失效风险传递关系分析方法。本发明提出了装备的失效风险传递关系分析模型和失效风险传递关系自动分析算法，实现了复杂电子装备的分系统、模块、组件等组成单元上下层之间失效风险传递关系的自动建立。与现有人工分析复杂电子装备失效风险传递关系的方法相比，本发明的益处是改进了传统失效风险传递关系分析工作中依靠人工分析带来的复杂性高、效率差、准确性不足等问题，提升失效风险传递关系分析效率和设计质量。
本发明公开了一种适用于多芯片失效分析的LPDDR晶圆RDL设计方法，属于半导体封装领域，包括以下步骤：S1：基于常规LPDDR RDL设计，增加键合焊位；S2：设计封装基板，增加若干用于DIE连接的基板正面金手指；S3：进行封装，并将键合焊位与基板正面金手指连接S4:测量电阻，通过电阻测试判断DIE状态，完成设计。只需要在设计原始RDL布线时候，同步新增如下1条RDL走线即可；围绕DIE四周新增1条不封闭的口字型走线和2个键合焊垫(焊垫开窗位置需寻找合适位置，不影响原始产品RDL布线即可)，通过走线电阻的测量数据来判定DIE是否有开裂，无需专门测试机器，只需要使用万用表或者简易测试设备来测试电阻即可判定多芯片堆叠中存在某一颗DIE开裂。
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一种航天器正弦扫频振动疲劳失效分析方法，首先根据航天器结构，建立航天器的有限元模型，根据正弦扫频振动试验中航天器与夹具的连接方式，对其相连接的部分进行固定约束，并施加正弦扫频振动条件作为载荷，进行振动频域响应分析，得到加速度和应力频域响应结果，然后根据正弦扫频振动控制框方法，将应力频域响应转化为应力时域响应幅值以及循环次数，最后根据应力时域响应幅值和循环次数，结合首次穿越失效以及疲劳损伤分析方法Miner准则，进行振动失效分析。本发明克服了现有技术在试验前无法给出损伤分析，更多依赖于经验数据的缺陷，通过将频域分析结果转化为时域分析结果，可以直接用于振动失效分析，具有很好的使用价值。
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本发明公开了一种用于背面EMMI失效分析的装置，包括一PVC电路板、一信号输入输出底座；所述PVC电路板的中心设置有一透明的有机玻璃片，有机玻璃片的四周设置有多个金属引脚；PVC电路板的四个角分别设置有电路板金属衬垫；每个金属引脚分别通过金属线连接一跳线接口，每个跳线接口通过金属线分别与四个电路板金属衬垫连接；所述信号输入输出底座包括座体，座体的四个角分别设置有底座金属衬垫，底座金属衬垫的位置与所述电路板金属衬垫的位置相对应。本发明能够使背面EMMI失效分析更加简单、快速和可靠地定位到失效点，只需要花费几个小时的时间就可以完成原先需要几个工作日才能完成的失效缺陷的定位。本发明还公开了一种背面EMMI失效分析方法。
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本发明实施例公开了一种待失效分析样品的制备方法，所述方法包括：提供封装结构，所述封装结构包括芯片堆叠结构以及覆盖所述芯片堆叠结构的密封剂；所述芯片堆叠结构包括基板，堆叠设置在所述基板上方的多个芯片，及用于使所述多个芯片之间，和/或所述多个芯片与所述基板之间实现电连接的多条导电线；所述多个芯片在所述基板上方依次堆叠形成第一台阶结构，所述多条导电线位于所述第一台阶结构的上方；对所述第一台阶结构上方的密封剂执行多次研磨步骤，以切断所述多条导电线，得到所述待失效分析样品。
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本发明一种主动测试电压对比度失效定位方法，其中，包括以下工艺步骤：步骤一，将所要测试的样品通过导电双面胶带黏贴在支撑盘上；步骤二，在支撑盘上黏贴单面隔离胶带，并使单面隔离胶带的两端接近被测样品；步骤三，在单面隔离胶带上设有多个电池，并在每两个电池之间设有垫片连接，之后在首端电池的顶面设有一单面导电胶带并黏贴在单面隔离胶带上，在末端电池的底面设有一双面导电胶带并黏贴在单面隔离胶带上；步骤四，利用引线将单面隔离胶带上的单面导电胶带与双面导电胶带远离电池的一端与被测样品的压点连接；步骤五，对被测样品进行测试。通过本发明一种主动测试电压对比度失效定位方法，能够有效地使操作检测方式变得简易，不需要操作者对其有很丰富的操作经验，使用操作成本低廉，同时能够灵活性的对测试样品进行测试。
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本发明提供一种半导体器件失效分析样品及其制备方法、失效分析方法，通过在载体上开设一个与半导体器件样品相符的承载槽以及开设至少一个连通承载槽的导流沟槽，并在所开的承载槽中放置导电粘合剂，加热或者紫外光照射载体使导电粘合剂熔融，最后将半导体器件样品放置在承载槽中，轻压半导体器件样品使之与承载槽侧壁的台阶表面齐平，这样就避免了导电粘合剂对样品表面的污染，更重要的是在研磨去层时避免了样品表面不均匀研磨现象的出现。
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本发明提供了一种空调进线端电容失效存储装置及电容失效分析方法，空调进线端电容失效存储装置，与设置在空调进线端的电容连接，其包括：电压检测电路，实时检测所述电容的电压值；数据存储器，与所述电压检测电路连接，存储所述电容的电压值；所述电容失效分析方法基于所述空调进线端电容失效存储装置。这样，通过数据存储器存储电容的电压值，一旦发生电容失效的情况，就可以读取数据存储器中的电压值，进而可以根据电压值很容易确定是否是过压导致所述电容失效；可以在较短的时间内清楚判断电容失效原因，判断方便，且准确度高。
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本公开提供了一种产品失效知识库建立方法与产品失效分析方法、装置、设备、介质，属于计算机技术领域。该产品失效知识库建立方法包括：获取多组失效产品数据，包括设计数据、工艺数据与缺陷数据；根据设计数据和/或工艺数据对失效产品数据进行聚类，得到多个失效类别；分别对各失效类别的缺陷数据进行随机性检验，以确定失效类别为随机失效模式或非随机失效模式；对各非随机失效模式的失效产品数据进行关联规则挖掘，得到各非随机失效模式的失效根因数据；根据各失效类别的随机失效模式/非随机失效模式分类结果与各非随机失效模式的失效根因数据，建立产品失效知识库。本公开可以实现对未知失效模式的分析，并提高分析效率。
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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种对失效芯片进行电性失效分析的方法，通过在CP测试过程中记录芯片的特性参数，在CP测试最后将收集到的芯片特性参数写入安全寄存器内，并使其变为只读状态，以便于在后续的电性失效分析中，能快速高效得到初始CP中芯片的特性参数，因此一定程度上节约人力和测试机台成本，提高后期对芯片的分析效率。
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本发明公开一种失效分析中晶圆级背面失效定位的样品制备方法，其特征在于，包括有晶圆，在所述晶圆的前面寻找目标点，在接近所述晶圆的目标点以及所述晶圆的背面粘贴胶带，然后在所述胶带上粘贴传导带，并在所述目标点以及所述传导带上连接电线，最后在所述晶圆背面的传导带上使用探针进行探测。使用本发明一种失效分析中晶圆级背面失效定位的样品制备方法，通过本发明能够得到一种好的背面失效定位的结果，而无需将晶圆切碎，有效地节约失效分析费用成本，同时，提高了质量。本发明有效地保证了晶圆的完整性，并且实现背面失效定位。
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本发明揭露了一种半导体器件失效分析样品制作以及分析方法，采用化学试剂去除部分芯片背面的封装覆层，不暴露封装覆层内的引线，保持引线框架和引脚的完整。这样，可以同时检测芯片上多个引脚之间的功能单元和金属互连线，无须以引线为终端来检测。并且能在芯片工作的状态下进行整个芯片的检测和失效分析，大大提高了效率。此外，还能避免机械的开盖方法对芯片背面造成损害。
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本发明公开了一种判断失效光伏组件的失效分析方法及其使用的光伏组件结构，其中，失效光伏组件由第一电池片制备得到，本发明提供的方法的步骤如下：(a)提供一光伏组件结构，其具有两种类型电池片，分别为第一电池片和第二电池片，第一电池片和第二电池片具有单一差异因素，并且除该单一差异因素外，其余因素相同；其中，该单一差异因素为单一的结构设计差异或为单一工艺制成差异；(b)将该光伏组件进行环境实验；(c)再将经过环境实验后的光伏组件进行光伏组件特性测试；(d)根据测试结果判定光伏组件失效原因。(e)如果(d)未能找出组件失效的根本原因，则重复(a)-(d)，直到所有的电池单一差异因素均被完全排除，则判定为失效由组件材料和封装工艺造成。本发明能够有利于甄别出光伏组件的失效原因是由电池片的结构设计差异不同或电池片的工艺制成不同或组件材料和封装工艺不良导致的。
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本发明公开了一种H型钢失效分析取样及分析方法，腹板裂纹和矫直裂纹是异型坯生产H型钢中常出现的两种裂纹失效形式，其中腹板裂纹位于H型钢腹板位置，但腹板裂纹和矫直裂纹有时产生部位都在腹板与翼板连接R角处难以进行区分；本发明主要是提供一种判别H型钢失效形式的方法，及方法实施过程中的取样位置及检测分析法。
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本申请提供了一种失效点的定位方法及芯片的失效分析方法。其中，芯片包括衬底和位于衬底的器件，该定位方法包括：对芯片的背面进行减薄处理至接近器件；对减薄处理后的芯片的背面进行离子束轰击，以使得离子束穿过器件；以及对离子束轰击处理后的芯片的正面进行电子束扫描，以定位芯片中的失效点的位置。该定位方法通过对减薄处理后的芯片的背面进行离子束轰击，以使得离子束穿过器件并使器件中产生击穿区域，从而在利用电子束对芯片的待测表面进行扫描时，待测表面上产生的表面电荷能够从器件表面沿着击穿区域被释放掉，减少了表面电荷对器件表面电势的影响，进而能够精确地获得器件中失效点的位置。
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本发明提供了一种半导体功率器件失效分析的失效点定位方法，包括以下步骤：利用化学腐蚀剥层技术对覆盖在功率器件表面的金属铝层进行化学腐蚀，将铝层完全腐蚀去除，同时完整保留金属铝下层的阻挡层；利用微光显微镜和光束诱导电阻变化技术对功率器件进行正面定位，模拟失效情况下的电性条件，以及使用点针的方法进行加电，模拟电性条件，找出可能的失效点；利用电子封装组装失效分析工具对之前步骤的定位结果进行电子封装组装失效分析的物理验证，找出最终的物理失效点。本发明有以下优点：有效地对金属铝层进行剥离，同时保持了阻挡层的完整性；极大地加快了半导体功率器件失效点定位工作的速度和效率，同时保持了很高的精度。
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本发明公开了一种考虑失效传递和失效模式共因的故障树分析方法，包括以下步骤：同层基本事件独立不相关性分析；中间层事件和关键底事件限制相关参数等级标准建立；基于基本事件基本属性和基本事件分类方法的相关性组合模型；随机扰动源作用下失效模式共因失效分析；考虑共因失效的失效模式串联系统故障树顶事件概率分析。本发明所述分析方法计算结果准确，适合推广应用。
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本发明涉及一种GOI失效点无损定位方法及GOI失效分析方法，包括步骤1，去除待分析样品的金属互连层，获取具有裸露salicide层的预处理待分析样品；步骤2，基于PVC法，采用电子束照射所述预处理待分析样品的salicide层，并观察其是否发亮；是，则所述待分析样品存在GOI失效点，执行步骤3；否，则所述待分析样品不存在GOI失效点，结束操作；步骤3，将电子束照射时发亮的salicide层切割成多个相对分离的区域；步骤4，再次基于PVC法，采用电子束照射所述区域，并找出所述区域中发亮的salicide层；步骤5，循环执行步骤3和步骤4，直至电子束照射时发亮的salicide层的大小不能进行切割时，结束操作。本发明实现GOI失效点的高精度定位，且整个定位过程不会导致GOI失效点的进一步破坏。
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一种考虑质量偏差与失效相关性的早期失效风险分析方法，其步骤如下：一、建立相关产品的基础数据库；二、建立早期失效动态故障树，明确产品早期失效相关的各组件动态相关关系；三、分析各组件固有早期失效风险可能性；四、分析各组件固有早期失效风险严重性；五、分析各组件相关早期失效风险可能性；六、分析各组件相关早期失效风险严重性；七、分析产品早期失效风险；八、识别早期失效风险较高组件；九、结果分析；通过以上步骤，达到了从风险角度出发综合考虑制造质量偏差与早期失效相关性分析早期失效的目的，为企业进一步面向制造过程主动预防早期失效，开展高效的质量管理提供决策依据，有利于持续提高企业生产效益和产品质量。
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本发明公开一种于失效分析中观察失效区域的样品制作方法，包括以下步骤，首先，提供一芯片，将进行失效分析。其次，在该芯片周围点上保护胶固定在一小基板上，使该芯片在研磨时不会造成破损。其次，将该芯片倒置固定在一支撑基板上。最后，灌入卸取胶使该芯片能固定在一承载基板上，且在进行失效分析中在判断出失效区域后能将该芯片卸取进而确认其失效原由。本发明方法能制作于失效分析中观察失效区域的样品，以便对于特定失效区域进行后续芯片结构及失效原由确认。
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一种半导体器件失效分析样品的制作方法，本发明所提供的半导体器件失效分析样品的制作方法包括：提供待测的半导体器件，所述半导体器件包括晶片和封装覆层；去除晶片背面的封装覆层，直至暴露晶片焊垫；去除晶片焊垫；去除晶片背面的封装覆层，暴露引脚框架，不暴露晶片内的引线。相应地，本发明还提供一种半导体器件失效分析方法。采用本发明所提供的半导体器件失效分析样品制作方法和分析方法可以有效提高实效分析的效率，并且在暴露晶片背面的时候能够避免对晶片造成损伤。
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本发明公开了一种用于电源滤波器失效分析的失效模式确认及拆解方法，包括以下步骤：失效模式确认；电源滤波器拆解，具体包括以下步骤：开盖；去外壳；预热；匀速升温；取出保温；局部点吹；去除点吹部位的环氧树脂；重复局部点吹和去除点吹部位的环氧树脂，直至所有环氧树脂被去除，得到电路组件。本发明通过预热、匀速分段升温、保温、局部点吹加热的方法将灌封组件的环氧树脂进行软化，软化后再通过掏胶工具对环氧树脂进行局部掏出，可在完全不损伤电路组件的前提下完成环氧树脂的解剖，最终实现对环氧树脂灌封的电源滤波器的顺利拆解，得到的电路组件完整，没有二次损伤，环氧树脂被全部取出，显著有利于后期失效分析的准确性提高。
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