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本发明涉及一种分布式SRAM失效分析方法及其系统。一种分布式SRAM失效分析方法，该方法包括以下步骤：A、获取SRAM测试数据结果作为原始数据并对其进行失效分析，得到失效分析结果数据；B、对分析结果数据按预设的二进制编码规则进行二进制编码压缩，并将压缩后的分析结果数据注入分布式数据库中；C、从分布式数据库中提取要进行展示的分析结果数据，根据预设的二进制解码规则对提取的数据进行解码，根据绘制时的分辨率要求，对解码后的分析结果数据按预设的数据采样规则进行采样后，在前端绘制展示。本发明能有效压缩一片Wafer原有的占用空间，提高SRAM失效分析的效率。
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本发明公开了一种基于TODIM法电磁铁潜在失效模式与效果分析方法，涉及包装机领域，其步骤包括：A、确定电磁铁产品风险分析的目标及风险级别，收集产品潜在的失效模式，逐一确定失效模式所对应的后果及影响因素，评价团队使用直觉模糊数对失效模式进行评价；B、对失效的影响因素，评价成员使用直觉模糊数进行对比评价，形成对比矩阵，为了找到影响因素的最优解，从对比矩阵的偏好关系中导出影响因素的精确权重；C、此时FMEA中的权重信息得到确定，计算失效模式TODIM方法的相对优势度，其中计算相对优势度包括直觉模糊距离以及评价准测的相对权重；D、根据失效模式的相对优势度，根据TODIM计算失效模式的全局优势度以及综合排序值，对失效模式与效果进行排序。本发明具有强逻辑性，更加客观的优点。
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本发明涉及一种LED失效分析方法及其过程中封装树脂的减薄方法。所述减薄方法，包括如下步骤：(1)取片状板，在其上开孔或槽，形成样品容纳区域，所述样品容纳区域与待测LED样品的尺寸相匹配，且深度小于所述待测LED样品的厚度；(2)将待测LED样品置于所述样品容纳区域；(3)打磨所述待测LED样品，至其厚度与所述样品容纳区域的深度一致，即可。该减薄方法能够有效保证打磨后的待测LED样品表面平整光滑，能够清晰的观察到封装的内部结构，提高失效分析的准确性；同时，可通过控制样品容纳区域的深度对样品的减薄厚度进行有效控制，防止减薄过度，破坏封装的内部构造。
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本发明涉及一种带智能检测失效的截齿，包括截齿本体、设置在截齿本体上端面中心的合金头、感应导线、信号处理与发送模块和接收器，所述截齿本体上设置有小孔，所述截齿本体上环绕设置有导线槽，所述导线槽首尾两端与小孔相连通，所述导线槽宽为2mm，深为7mm，距离合金头底部6mm，所述小孔孔深10mm，直径为12mm，且位于导线槽下方，所述信号处理与发送模块植入小孔内，所述感应导线植入导线槽内，并与信号处理与发送模块相连通。本发明在设备的工作过程中，不用停机进行检测截齿是否失效，如有失效时自动报警，立即提醒操作人员停机更换，不会造成截齿本体、截齿齿座、配件等其他设备部件的损坏，不会造成更大的设备损坏。
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一种智能型电动执行机构失效分析方法。涉及自动控制领域，特别是一种智能型电动执行机构失效分析方法。提供了一种智能型电动执行机构失效分析的方法，对电动执行机构失效原因前进行分析，判断出电动执行机构失效点，改善电动执行机构的设计和工艺，减少失效的产生。通过对智能型电动执行机构功能划分，统计元器件的工作失效率和危险失效率，然后为了对各个元器件的失效率进行综合对比分析，对失效率进行数据归一化处理，另外，增加现场使用经验数据，可以丰富失效统计数据库，使本方法更加贴合实用，该算法一方面可以给失效风险的降低提供参考的依据，另外给失效故障点的定位提供了预测方法。
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本申请公开了一种芯片的失效分析方法，该失效分析方法包括：定位芯片中产生漏电流的硅通孔结构；沿垂直芯片表面的方向研磨芯片至接近硅通孔结构，标记为与芯片的上表面垂直的横截面；在横截面上依次间隔设定标记点；在硅通孔结构和芯片中的衬底之间施加测试电压，获取硅通孔结构产生漏电流的位置，将其在横截面上对应的位置标为热点；将与热点相邻的两个标记点记为第一标记点和第二标记点，通过热点与第一标记点和第二标记点之间的深度关系定位漏电流的深度。该方法能够准确地获取芯片中漏电流的深度位置，进而有效地指导接下来的物理失效分析方法和工艺改进。同时，该方法所用的机台均为已有的传统机台，不需额外增加机台预算。
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本发明公开了一种掺杂失效的分析方法，包括步骤：提供良品硅片；对良品硅片和待测样品硅片进行处理直至露出衬底表面；将良品硅片和待测样品硅片放置在底座上；在良品硅片和待测样品硅片上选定测试图形；设定进行SRP的条件；分别对良品硅片和待测样品硅片上的测试图形进行SRP并得到电阻率或载流子浓度的数据；对良品硅片和所述待测样品硅片的电阻率或载流子浓度的数据进行比较，判断待测样品硅片的掺杂是否失效，估算待测样品硅片的掺杂剂量失效大小。本发明能准确快速验证掺杂相关的失效，以及确认掺杂杂质的差异程度，能大大节省芯片失效分析的时间和确保失效分析的准确性，为明确工艺原因及提升相关产品的良率发挥重大作用。
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本发明公开了一种基于深度神经网络的螺栓拧紧失效原因分析方法，包括创建拧紧场景、获取特征指标、创建初始标签数据、建立全连接神经网络模型、预测失效原因，在拧紧的场景中，以10％的不合格曲线以及特征指标作为样本数据，对样本数据进行高斯混合模型聚类，得到4～5个聚簇，对每个聚簇的所有拧紧曲线中的角度数据X和所有扭矩数据Y进行多项式回归，得到回归曲线。本发明涉及机器学习技术领域，该基于深度神经网络的螺栓拧紧失效原因分析方法，通过利用计算机软件算法，能够代替专业人员自动判别每一次拧紧失效的异常原因后定向反馈，进而达到节约人工并为其他报警、监控类软件系统提供数据支持的目的。
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本发明提出一种航电通信模块失效分析报表自动引导填报工具，可以针对航电通信模块的物理组成与失效模式特点，有效地提高工作效率，实现知识引导填报。本发明通过下述技术方案实现：在执行报表填报过程中，表格自动填报模块依托运行环境平台，基于关联关系构建引导填报、自动填报和导入填报三种方式；失效模式引导填报模块自动对潜在失效模式及各阶段进行监控及跟踪，根据流程搜索，按照航电通信模块失效与监测模式专家知识库规则，构建专家知识库；失效模式引导填报模块将航电通信模块失效分析报表输出至航电通信失效分析报表模块，表格自动评审模块在报表填报过程中监控报表的填报行为，执行基于专家知识与行为监控的失效模式引导填报功能。
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一种聚合物层合结构老化失效机理的实验分析方法，涉及一种层合结构的老化失效机理的实验分析方法。本方法主要通过实验方法，使层合结构的老化只受单一因素的影响，通过测定不同老化时间的临界积分值，绘制出老化曲线，通过对2条曲线的比较，判定出界面老化的主要机理；同时，将层合结构不同部分进行切割组成新的层合结构，测定其临界积分值，并与完全老化的层合结构的临界积分值进行对比，判断层合结构中组份材料非均匀老化的趋势。本发明可适用于各种层合结构的老化评估问题，在航天，航空领域具有广阔的应用前景。
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一种导体失效检测结构以及形成方法和检测方法，所述检测结构包括：基底，所述基底具有核心器件区和外围器件区，所述核心器件区的基底上具有分立的第一金属层和待测金属层，通过待测导电插塞相互连接；所述外围器件区的基底上具有若干重叠排布的测试焊盘和若干加载焊盘并通过贯通介质层内的测试导电插塞和加载导电插塞进行连接；在待测金属层的同一层具有焊盘金属层，所述焊盘金属层通过测试导电插塞和加载导电插塞分别与测试焊盘、加载焊盘连接，所述焊盘金属层通过至少两个顶层导电插塞与第一金属层连接。所述检测结构能够在不破坏标准焊盘结构以及不扩大设计区域面积的情况下，提高电迁移检测的准确性。
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本发明公开了一种特定位置焊球失效对信号传输影响的实验分析方法。包括：设计高频传输线的尺寸参数；绘制印制电路板；在一块PCB板上正常植球；在另一块PCB板上相应的焊盘位置贴上一条聚酰亚胺阻焊胶带；将两块PCB板焊接在一起；将聚酰亚胺阻焊胶带抽出；在底部PCB板上的预留位置焊接特定连接器，连接矢量网络分析的测试线缆，完成BGA封装的高频测试工作。本发明通过加工特定位置的故障焊球获得实验样本，解决了环境实验导致样本失效的随机性与不确定性的问题，以完成特定位置焊球失效对信号传输影响的分析。
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本发明提供一种共享字线的分栅式闪存的失效分析方法及系统，不仅关注失效存储位单元本身，还将与失效存储位单元共享字线的同行同列存储位单元的影响、失效存储位单元所在字线(行)、位线(列和IO接口电路)以及控制栅极线的影响等考虑在内，根据失效存储位单元的功能验证及其相邻存储位单元的电流信息前后比对，确定出失效存储位单元的失效模式是自身缺陷引起的功能失效，还是与其共享字线的同行同列存储位单元和其所在的字线、位线以及IO接口电路等周围环境缺陷引起的失效，并给出其具体失效模式，整个分析过程可自动完成，无需专业人员在场，能节约人力资源与测试机时及提高失效分析效率和结论准确性。
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本发明公开了一种仿真分析低压开关端盖振动冲击失效的方法，所述方法包括如下步骤：a)建立低压开关端盖的有限元模型；b)对步骤a)所建立的有限元模型施加连续瞬态载荷；c)分析求解低压开关端盖的内部应力大小及分布；d)根据分析结果，对低压开关端盖的结构进行优化。通过本发明方法能够得到低压开关端盖在受到连续瞬态冲击载荷下，其内部的应力及分布情况，从而为避免低压开关端盖在振动冲击情况下发生失效进行结构优化和设计提供依据；本发明应用性强，对低压开关的性能监测具有重要价值。
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本发明公开了一种基于数据驱动的失效模式及影响分析方法，首先采集失效模式以及其对应风险参数相关的历史数据，将收集到的风险数据进行预处理用于训练数据驱动模型，并选择精度最高的数据驱动模型作为预测模型，紧接着利用训练好的模型对失效模式的发生概率进行预测，最后利用直觉模糊方法对失效模式进行评估，并采用距离算子对失效模式风险进行测度。本发明的方法能够充分利用产品生命周期产生的大量数据，从中挖掘有用风险信息，实现产品失效模式数据驱动评估，节约了不确定性设计的时间成本和经济成本，避免了人力、物力的浪费，提高产品的可靠性，以支持维护企业的规划和操作，最终实现对产品失效模式的识别、预测以及风险评估。
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本申请实施例公开了一种晶圆的失效分析方法，包括：在所述晶圆的切割通道中，确定出目标测试区域，所述晶圆包括叠设的驱动晶圆层和阵列晶圆层，所述阵列晶圆层包括位于所述驱动晶圆层之上的堆叠层和位于所述堆叠层背离所述驱动晶圆层一侧的衬底，所述目标测试区域包括贯穿所述阵列晶圆层的贯穿触点以及形成于所述驱动晶圆层内且位于所述贯穿触点下方的测试结构；对所述贯穿触点的表面进行保护处理，得到保护处理后的晶圆；对所述保护处理后的晶圆中位于所述阵列晶圆层中的所述衬底进行刻蚀，得到刻蚀处理后的晶圆；对所述刻蚀处理后的晶圆进行失效分析。
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本申请公开了一种芯片结构的散热层缺陷失效分析方法，基于芯片结构的声学图像和三维图像确定散热层的第一厚度及其第一缺陷类型和尺寸；基于芯片结构研磨样品的扫描图像确定散热层的第二厚度及其第二缺陷类型和尺寸；对比所述第一厚度及其第一缺陷类型和尺寸和所述第二厚度及其第二缺陷类型和尺寸，确定分析结果。可以在不破坏芯片结构的情况下测算散热层参数及定性失效模式，同时为后续破坏性分析提供数据对比，使得缺陷失效分析的准确性较高。
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本发明公开了一种芯片可持续失效分析方法，包括：1)将对准卡(3)套设于芯片(2)的外部并将所述芯片(2)固定于所述基座(1)；2)将针托架(4)上测试针的一端设置于所述芯片(2)的顶部，接着将缓冲框(5)覆盖所述对准卡(3)的顶部以使得所述测试针、对准卡(3)相接触，然后将所述测试针的另一端通过连接孔(6)固定于所述基座(1)上；3)将缓冲垫(7)分布于所述缓冲框(5)的两侧，接着将固定卡(8)设置于缓冲垫(7)的顶部以使得所述缓冲垫(7)固定于所述基座(1)的顶部。该芯片可持续失效分析方法能够重复地对芯片进行失效分析，同时成本低。
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本实用新型公开了TSV圆片级封装MEMS芯片的失效分析装置，该装置由显微镜、反光盒和探针系统组成；反光盒由外壳、反光镜和透明玻璃组成，反光镜包括两个互成90°角的左反光镜和右反光镜，左反光镜和右反光镜都是镜面朝上地置于外壳中，左反光镜和右反光镜与外壳底面夹角都为45°，透明玻璃覆盖在外壳顶部开口处；探针系统包括探针、探针臂和探针座，探针通过探针臂与探针座连接，探针上连接导线，导线与测试装置或电源连接；反光盒置于显微镜的载物台上，显微镜的物镜位于反光盒上方。该装置只需特制一个反光盒，利用反光盒内反光镜改变光线的方向，不需要背面显微镜镜头，就可以观察到MEMS结构的运动情况，分析MEMS芯片的失效机理，结构简单，效果好。
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本发明提供矮墩连拱桥快速拆除的桥墩失效模型的分析方法，属于矮墩连拱桥拆除技术领域，实测矮墩连拱桥结构尺寸参数和材料容重，以矮墩连拱桥的墩柱作为分析对象，桥墩除了自身自重及顶部传递而来的竖向荷载外，仅受到拱肋传递来的推力作用，当桥墩所受推力大于其自身抗剪强度时，桥墩则会整体发生剪切失效。能使矮墩连拱桥整体倒塌，使施工工期大大缩短，降低设备与人工成本，在拱桥结构完好的对称受力状态下对桥墩进行对称、同步切割作业，对于结构受力影响较小，避免施工人员在结构受力不对称的条件下逐跨实施拆除，降低了施工人员的安全风险。
本发明属于航空电气设备及电气工程技术领域，针对多余度设计的机载电气线路互联系统，本发明设计了一种无失效数据条件下的可靠性分析新方法。该方法首先从“先并联、后串联”多余度EWIS多参数的精确寿命分布函数入手，构建了多余度EWIS可靠度计算模型；然后通过“最小最大值”Monte‑Carlo仿真，获取EWIS寿命的抽样值，并综合概率纸检验法和Pearson拟合优度检验法，判断多余度EWIS是否服从威布尔分布；最后，对于无故障历史的EWIS，采用无失效数据可靠性分析方法确定其可靠寿命。
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本实用新型公开了一种芯片失效分析仪，其测试夹具包括底板、载板及夹板，底板中央设有均匀布置的金属凸起，贯穿载板上表面、下表面设有与金属凸起对应的均匀布置的通孔，通孔内设有用于与被测芯片的引脚连接的连接件，连接件包括设于载板上表面的金属薄片及连接于金属薄片下的金属探针，金属探针套设有弹性部件，且弹性部件固定于通孔内壁，被测芯片置于载板上表面时，夹板轻压于被测芯片上，被测芯片的引脚压于金属薄片上，弹性部件一起被压缩，且金属探针与金属凸起电性连接；其测试机台用于对被测芯片输出测试信号，且可选择地与金属凸起电性连接。本实用新型是一种能够广泛适用于各种封装结构的芯片进行失效分析的测试设备。
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本发明涉及一种快速识别陶瓷涂层失效类型的声发射信号分析方法。首先采集涂层试验过程中产生的声信号，提取信号特征参数，对声发射信号进行聚类分析，然后选取最靠近各个聚类中心的信号对其进行小波变换，并提取能谱系数作为模式识别的特征参数，根据能量分布识别出涂层损伤类型。最后统计各类损伤的声发射事件数，将所得数据与外加载荷‑位移曲线相结合，得到涂层失效过程的临界载荷及相应的信号频率，全面了解陶瓷涂层在外加载荷作用下的失效过程。本发明为陶瓷涂层的失效机理研究提供了直接的依据，对涂层正常服役的寿命预测具有重大意义。
本发明涉及轮胎计算机仿真设计技术领域，尤其涉及一种轮胎失效点仿真分析方法、应用、设备和计算机程序产品。一种轮胎失效点仿真分析方法，该方法包括以下的步骤：1）利用建模软件和仿真软件对轮胎进行建模，为模型材料分布图进行网格划分，赋予材料属性，施加气压与载荷，进行负荷分析；对模型设定角速度，进行滚动分析；得到该模型所有橡胶材料单元的应力、应变、应变能值；2）利用程序对数据进行运算处理，读取仿真模型数据信息，将模型可视化并提供交互功能供使用者选取所需分析单元，得到轮胎失效评价参数。本发明只需进行虚拟仿真建模运算，相较于实物测试更简便低碳环保。对轮胎产品设计优化改进起到指导作用。
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本发明涉及智能电能表可靠性改善技术领域，具体涉及一种智能电能表失效分析的方法。本发明系统的对智能电能表的元器件的结构、材料、供需和制作工艺等的失效模式、机理、硬性、严重程度与发生的概率进行评估，通过借助各种测试分析方法和仪器对失效现象进行确认，分辨其失效模式和失效机理，确定其最终失效的原因，从而为智能电能表的改进设计、制造工艺、使用维护提供有效依据、防止失效的重复出现，从而逐步提高智能电能表的可靠性水平。
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本发明提供了一种失效分析样品的制备方法，包括以下步骤：步骤S1、提供一待分析样品，所述待分析样品的一截面设置有集成电路，所述集成电路中设有一凹槽，且该集成电路除凹槽以外部分表面覆盖有一保护层；步骤S2、利用一填充材料将所述凹槽完全填充并将该凹槽所在截面完全覆盖；步骤S3、对所述待分析样品进行研磨，并对所述集成电路进行观测和分析。本发明以去除保护层时保证了良好的均匀性，样品的制备过程简单快速，且成本极低，该样品可以顺利地进行后续失效分析，同时提高了观测效率及准确率，为提高产品良率提供依据。
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本发明公开了一种承压设备的定量风险分析中的失效可能性评价方法，采用错边和角变形缺陷参数修正定量风险分析RBI中的失效可能性；所述失效可能性F的计算方法为：F=FG×(FE+FD)×FM，其中，FG为同类设备平均失效概率，FD为错边和角变形缺陷修正系数，FE为设备修正系数，FM管理修正系数。本发明引入了错边和角变形缺陷修正因子，避免了API581标准中未考虑错边和角变形缺陷的局限，使得含有错边和角变形缺陷的承压设备在风险分析过程中的计算结果更加精确。该发明在基于风险的检验的基础上，通过对缺陷尺寸的确定，方便快捷地得到与之对应的修正因子数。
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一种互连结构失效分析样品的制作方法,包括:对样品横截面进行物理溅射工艺;通过电子显微镜对所述样品进行测试。本发明有利于失效分析对工艺参数的准确表征。
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本实用新型公开了一种失效分析系统，其测试夹具包括底板、载板及夹板，载板为分层结构，贯穿载板设有均匀布置的垂直通孔，贯穿每层载板的两相对侧面设置有一层水平通孔，垂直通孔内设有用于与被测芯片的引脚连接的连接件，连接件包括金属薄片及第一金属探针，第一金属探针套设有弹性部件，还包括第二金属探针，且弹性部件固定于垂直通孔之内壁处，被测芯片置于载板上表面时，夹板轻压于被测芯片上，被测芯片的引脚压于金属薄片上，弹性部件一起被压缩，且第一金属探针与第二金属探针电性连接；测试机台，测试机可选择地与第二金属探针电性连接，并输出测试信号。本实用新型是一种能够广泛适用于各种封装结构的芯片进行失效分析的测试设备。
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