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本发明公开一种叠层芯片封装产品失效分析方法，包括将塑封后的叠层芯片封装产品放置于加热设备中；设定温度曲线并加热烘烤；待烘烤结束后，将叠层芯片封装产品取出，分离出各层芯片，进行芯片异常判断分析。本发明的叠层芯片封装产品失效分析方法，使得芯片在无化学腐蚀或人为破损等二次破坏作用下，实现观察和分析芯片失效原因。
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本发明公开了一种纤维增强柔性复合油管失效分析方法，该方法将常规的纤维增强柔性复合油管影响因素均考虑在内，考虑了温度，拉力和划伤等因素，并依据实际应用过程中失效因素可能性的大小从大到小排序。相比现有的纤维增强柔性复合油管失效分析方法，本发明通过有效结合现场温度与工况的分析形式以及预制缺陷进行模拟失效形貌、方法简单，便于实施，能快速准确地判断出纤维增强柔性复合油管的失效原因；本发明中涉及的试验方法设计合理，试验过程只涉及水压爆破设备、温控设备与万能试验机，试验操作依照国家标准进行操作。
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本发明涉及电子元器件失效分析技术领域，涉及一种元器件封胶溶解液以及元器件的开封方法和失效分析方法。该元器件封胶溶解液包括：溶二氯甲烷、DY711硅胶溶解剂或二甲苯，以及有机溶剂。该元器件的开封方法包括：用元器件封胶溶解液浸泡元器件，元器件为凡立水或黑胶固定的元器件，将浸泡后的元器件的内部结构剥离取出。元器件的失效分析方法包括：在对元器件进行开封后观察取出的内部结构的形貌。通过二氯甲烷或DY711硅胶溶解剂作为溶解剂和有机溶剂进行稀释后能够有效地对凡立水和黑胶进行溶解，进而能够将元器件内部结构(例如线圈)取出而不对元器件的内部结构造成损伤，从而为元器件失效根因的分析以及改善提供更好的帮助。
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本发明涉及一种考虑系统失效的无人机蜂群任务可靠性分析方法，所述方法包括：采用复杂网络的方法构建无人机蜂群的网络模型；所述网络模型包括通讯层、结构层和任务层，所述结构层中各节点对应一个无人机，所述通讯层中节点根据各无人机中通讯设备确定，所述任务层中节点根据各无人机的任务载荷数量确定；获得所述网络模型中各个节点随时间变化的失效分布；根据所述各个节点随时间变化的失效分布更新所述网络模型；根据预设的任务可靠性指标对更新后的所述网络模型进行可靠性分析。本发明提高了可靠性分析的全面性和准确性。
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本发明公开了一种线路板通孔受热膨胀的失效分析试验方法，包括如下步骤：提供具有通孔的线路板，对线路板的通孔进行灌锡操作；对线路板侧壁进行打磨处理；将视频显微镜与线路板具有通孔轴向截面的侧表面进行对焦操作；对所述线路板进行升温处理，并通过所述视频显微镜录制所述线路板的通孔受热膨胀的变化过程。如此本发明能够模拟产品在受热过程(焊件组装、使用)中会出现如孔铜拉裂、分层等等的失效情况，并能够便于根据录制视频进行分析。本发明的失效分析试验方法无需采样分析不同环境温度下多个线路板的受热膨胀的结果图，而是通过控制改变线路板的在录制过程中的温度即可，可见本发明失效分析试验效率更高，分析数据将更加准确。
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本发明涉及结构优化设计技术领域，提出一种机械结构震动失效灵敏度分析方法及航空液压管路震动失效灵敏度分析方法，该机械结构震动失效灵敏度分析方法包括：提供至少一个影响机械结构固有频率的随机变量；根据随机变量建立关于机械结构的失效概率方程；根据失效概率方程获取无条件失效概率和预设随机变量的条件失效概率；根据条件失效概率和无条件失效概率获取预设随机变量的指标参数；根据指标参数判断预设随机变量对失效概率的影响程度。本公开提供的机械结构震动失效灵敏度分析方法提供一种全新的指标参数用于判断预设随机变量对失效概率的影响程度。
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本发明公开了复杂设备的加速因子及失效边界域分析方法，包括：确定设备的工作状态；根据选择的试验点及计算机试验设计方法，对仿真软件构建统计代理模型；根据统计代理模型，确定设备失效边界域；根据统计代理模型，利用蒙特卡洛方法，评估设备寿命；根据统计代理模型与评估设备寿命，确定设备加速因子。针对复杂设备的仿真软件建立了计算更为简便的统计代理模型，在实际应用中极大地节约了计算资源；依据复杂设备仿真软件的统计代理模型，给出了基于计算机试验设计方法的失效边界域分析方法，该方法不仅能够进行单因素的失效边界域分析也能进行存在耦合作用的双因素失效边界域分析，解决了复杂设备失效边界域分析困难的问题。
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本申请公开了一种半导体激光芯片失效分析方法。其中，所述方法包括：去除半导体激光芯片的衬底，直至露出所述半导体激光芯片的外延层；通过显微镜的暗场模式观察所述外延层，分析得出失效部位。由于无需专门设备，仅使用显微镜即可解决激光芯片失效模式分析问题，从而降低了高功率半导体激光芯片失效分析成本；并且，显微镜是常用工具，不像专门设备，操作简单，无需专业技术人员即可操作，降低了高功率半导体激光芯片失效的门槛。并且，通过显微镜的暗场模式来直接观察所述外延层，保持了对失效区域高质量的成像，对推动高功率半导体激光芯片各项性能指标的研究有重要作用。
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本发明公开了一种用于氢能源汽车密封圈的膨胀失效分析方法，搭建密封圈材料的本构方程和能量守恒方程建立膨胀失效模型。密封圈材料内部裂纹的形变量使用图像处理的方式求解，由此可将密封圈内部损伤信息可视化表达。对样本图片进行周期处理，去除相互接触以及重叠损伤的区域，保留完整单一周期性的空腔，进行二值化处理及计算。本发明将密封圈失效机理仿真与机器学习相结合，机器学习方法将密封圈工况下的状态进行可视化，探究内部气泡生长过程，结合气泡直径推导出密封圈材料的应变，带入密封圈本构方程表达式内，使用有限元分析方法，得出应力与应变之间的关系式，求出密封圈密封失效的依据。
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本发明一种通孔链结构的失效分析方法，包括：提供待分析样品，所述待分析样品中具有通孔链结构，所述通孔链包括半导体衬底、金属线和位于半导体衬底与金属线之间的接触电极，所述半导体衬底与接触电极之间电连接良好；对所述样品进行切割，使得切割后的样品的一个侧面与通孔链接的一侧的距离为1-10微米；对切割后的样品进行平面研磨至露出金属线的表面；在样品表面沉积金属层，所述金属层覆盖金属线的表面；将金属层接地；将样品放入聚焦电子束，利用沿平行于半导体衬底的厚度的方向对样品进行垂直切割，将位于接触电极下方的半导体衬底去除，露出接触电极的底部；从接触电极的底部对接触电极和金属线进行电压衬度失效定位分析。
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本发明公开了一种面向服务设计过程中用户接触点失效分析方法，针对服务设计过程中用户接触点数量庞大涉及范围广泛，失效分析指向不确定问题，能够指导用户接触点重塑方向以提升服务质量。该方法在传统服务设计用户接触点过程基础上，构建服务设计用户接触点失效分析与重塑模型，将用户感知当作失效因素确定权重指标，更加全面地考虑用户感受。识别梳理在特定服务过程中的用户接触点；对识别到的用户接触点进行重要性满意性评估分析量化确定关键用户接触点；将用户感知作为失效因素建立失效分析模型以全面评估关键用户接触点的失效风险，并从不同的方向确定失效风险值输出风险排序结果，进而对用户接触点提供优化设计方向。
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本发明公开了一种封装芯片失效分析样品的制备方法，其包括如下步骤：步骤一，提供待分析封装芯片；步骤二，采用丙酮浸泡待分析封装芯片，拆除散热盖并擦除晶粒表面的散热胶；步骤三，将多块第一硅片粘接在基板临近晶粒的位置；步骤四，在晶粒顶面粘接固定盖玻片；步骤五，进行混合胶冷埋镶嵌，使得待分析封装芯片固化在透明环氧树脂内部；步骤六，研磨基板底面，使得基板减薄以接近晶粒，并将第二硅片粘接在基板底面；步骤七，沿晶粒侧面研磨第一硅片至待观察的芯片位置，得到封装芯片失效分析样品。其能够避免截面研磨过程中因外部应力的引入导致的芯片结构破坏，提高制样成功率并保持晶粒的原有状态，保障了后续截面形貌观察的效果。
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本申请提供一种芯片失效分析定位方法、装置、设备及存储介质，其中，芯片失效分析定位方法包括以下步骤：获取待分析产品的芯片层的结构图像，所述待分析产品包括至少两层芯；根据所述芯片层的结构图像构建所述待分析产品的三维图像；基于所述待分析产品的三维图像对所述待分析产品进行失效定位分析。本申请能够形成三维图像，从而能够基于三维图像高效地对整个芯片进行失效分析。
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一种暴露半导体衬底的方法和失效分析方法,所述暴露半导体衬底的方法包括:提供半导体样品,所述半导体样品从下至上依次包括半导体衬底、氧化层和半导体多晶层;用化学溶液去除所述半导体衬底和半导体多晶层之间的氧化层,所述化学溶液为缓冲氧化蚀刻溶液或氢氟酸;用超声波振荡去除所述半导体多晶层,暴露出所述半导体衬底。所述暴露半导体衬底的方法和失效分析方法解决了现有技术逐层剥除半导体衬底上方的半导体多晶层和氧化层会损伤半导体衬底的问题。
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本发明公开一种并行管道喷射火场景下目标管道动态热失效分析方法，包括以下步骤：1、输入源管道运行参数，获得瞬时喷射火近场内目标管道接收的瞬时热辐射值；2、建立瞬时热辐射值与时间变化的拟合函数关系式；4、计算目标管道内壁对流换热系数；3、计算目标管道的管壁瞬时温度分布结果；5、计算目标管道的管壁周向、径向和轴向承受的瞬时热应力和瞬时总应力；6、试验获得不同温度对应的屈服强度和极限抗拉强度；7、分析判定目标管道动态热失效结果。本发明通过解决当前静态热失效分析技术不符合实际情况的问题，并基于分析结果合理优化并行管道的安全间距，实现防止目标管道发生热失效。
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本发明涉及一种GaAs芯片失效分析样品及制备方法，该制备方法包括步骤：对GaAs芯片的基板进行研磨，使所述GaAs芯片露出晶背；对露出晶背的GaAs芯片进行热点定位，确认失效位置；对所述GaAs芯片的晶背进行物理减薄，使减薄后的厚度满足切割操作厚度；利用红外显微镜对减薄后的GaAs芯片进行扫描并再次确认所述失效位置；根据所述失效位置对减薄后的GaAs芯片进行切割并形成失效分析样品。本发明方法取消了传统化学法解封塑封体，避免了对GaAs芯片的金属走线的破坏，提高了制样成功率并保证了后续的失效分析效果。
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本发明公开了一种基于层次分析及群体决策算法的器件失效率评估方法，本发明通过使用层次分析法(AHP)分析元器件失效率的问题，揭示影响元器件失效率不同因素之间的相互关系，使之层次化、条理化；通过专家客户端对每层因素两两之间的相对重要程度进行比较，形成定量主观评价，再利用权值来反映全部因素的相对重要程度，并利用权向量对目标可靠性进行分配。通过本方法获取元器件失效率的成本较低，实现也更为方便；同时使用范围广泛，不拘泥于特定场景；可推广至各电子产品的电子元器件失效率的计算。
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本公开涉及这样的处理操作：其评估数据失效的影响，并基于数据失效对应用/服务的操作的影响的评估结果来管理数据失效的补救。可以聚合和分析所识别的数据失效。在一个非限制性示例中，在时间计数上聚合数据失效类型以识别近期的数据失效。数据失效的所聚合类型的分析包括评估在时间计数内识别的数据失效类型的强度。可以在时间计数期间基于识别对通过应用/服务的内容呈现的影响的强度分析来对识别的数据失效进行排列。可以基于排列处理来管理数据失效的补救。例如，可以对一个或多个数据失效进行优先处理以进行补救处理以纠正与错误相关联的底层数据结构。
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本发明公开了一种基于终层失效的复合材料层合板分析方法，包括：S101、确定复合材料层合板的属性和结构特征；S102、确定复合材料层合板中的随机变量，并对各随机变量进行均匀离散化；S103、构建各随机变量的发生函数；S104、构建抗力序列发生函数；S105、构建系统抗力发生函数；S106、计算层合板的可靠度；本发明结合了复合材料层合板失效路径(抗力序列)之间因含有共同失效单元，以及抗力序列内部各失效单元因共享同一随机载荷源而引起的失效相关性，为复合材料层合板强度可靠性分析提供了一种新思路。
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本公开实施例公开了一种物理失效分析样品及其制备方法，所述方法包括：提供待分析结构；其中，所述待分析结构包括相对设置的第一表面和第二表面，失效区域位于所述第一表面和所述第二表面之间；在所述待分析结构的第一表面形成凹槽；其中，所述凹槽包括第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁覆盖所述失效区域；在所述第一侧壁与所述失效区域之间的相对距离小于预设距离时，轰击所述第二侧壁的组成粒子；其中，被轰击的至少部分所述组成粒子溅射至所述第一侧壁，形成覆盖所述失效区域的第一保护层。
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本发明公开了一种半导体失效分析的分析结构和方法。所述结构包括:多个分析场,设置于半导体器件的预定的区域上;半导体晶体管,设置于每个所述分析场中,所述半导体晶体管设置为阵列;字线,设置于所述多个分析场的每个上,在第一方向将所述半导体晶体管彼此连接;和位线结构,在所述多个分析场的每个上,在第二方向将所述半导体晶体管彼此连接,其中,所述位线结构在所述多个分析场的每个中配置为不同的图案。
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本申请涉及一种失效分析方法、计算机设备和存储介质。失效分析方法包括：获取目标芯片颗粒内的各IO通道的失效数据，目标芯片颗粒包括m个物理模块，各物理模块包括若干IO通道，m为大于等于2正整数；将失效数据进行拆分，形成对应各物理模块的m组模块失效数据；根据各模块失效数据，判定各物理模块的局部失效类型；根据各物理模块的局部失效类型，判定目标芯片颗粒的存储失效类型。本申请能够有效提高失效分析效率。
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本发明提供一种制备15CrMo钢过热器管的失效分析样品的方法，所述方法包括：（1）切取待分析的钢件，在切取过程中，保持所述待分析的钢件温度不超过60℃；（2）提供一平坦基板，将所述待分析的钢件粘附于所述基板，其中，所述钢件的待分析表面朝向所述基板；（3）以所述基板为底部，构建围绕所述待分析的钢件的空腔，在该空腔中注入可固化镶嵌料将所述待分析的钢件嵌入所述空腔中；（4）去除通过步骤（3）固化镶嵌后的钢件表面的基板，使待分析表面露出，并对所述待分析表面进行表面处理，使其符合后续分析的要求。通过本发明的方法制备的失效分析样品可以保证样品的切割和镶嵌在失效现场进行，能够完好保存样品原始失效状态，样品制作效率高，消耗少，能够满足后续观测分析的需要。
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一种高效的存储器失效分析方法，可以实现对存储器单元进行可靠性失效分析图形显示的可视化分析方法，能够高效的分析存储器单元在可靠性评测时出现的物理地址、失效方式等，帮助快速定位产品的存储器失效原因；本发明仅提供一种存储器可靠性失效分析的图形化方法，并不限于开发者如何模拟和显示存储器的物理地址分配，依靠在图中显示出存储单元失效的位置以及形式，直观的显示出失效物理地址及分布。
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本发明公开了对芯片进行失效分析的装置及方法。该装置包括红外金相显微镜、显示器、芯片载台、电流源、金属探针和金属探针调节座，红外金相显微镜适于观测待测芯片发射区的电致发光情况；显示器与红外金相显微镜相连并适于显示红外金相显微镜观测到的情况；芯片载台适于盛放待测芯片；电流源适于输出直流电流并控制输出的直流电流的大小；探针调节座适于将与电流源输出端相连的金属探针的探针尖与待测芯片的电极接触。该装置不仅结构简单，还能通过电致发光情况精确判定待测芯片是否存在失效、失效位置的形状以及失效位置具体是位于芯片内部还是表面，同时可以判定待测芯片失效的电性形态，能够大大提升对芯片进行失效分析的准确率和可靠性。
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本发明提供一触器失效检测方法和接触器失效检测系统，其中所述接触器失效检测系统包括一检测电路、一检测模块以及一控制模块，所述检测电路电气连接于所述电池模块和所述接触器，以形成一检测回路，其中所述检测模块被电气连接于所述检测电路，由所述检测模块检测流经所述接触器的电流和对应所述接触器的分压，以得到所述接触器的接触电阻的阻值，其中所述控制模块被电气连接于所述检测电路和所述检测模块，所述检测模块根据所述检测模块检测的数据信息计算所述接触器的温升，并根据所述接触器的实时温度判断所述接触器的有效性。
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本发明涉及一种用于分析可靠性失效的太阳能组件的方法，包括：(1)将失效组件置于高温、暗光环境中并保持电注入预设时间；(2)再次进行EL测试和功率测试，获得处理后的EL测试结果和功率测试结果；(3)将处理后的EL测试结果与初始状态的EL测试结果相比较，并将处理后的功率测试结果和初始状态的功率测试结果相比较，若处理后的EL测试结果相对于初始状态的EL测试结果在第一预设范围内且处理后的功率测试结果相对于初始状态的功率测试结果在第二预设范围内，则分析该失效组件为电池片失效；其他比较结果，则分析该失效组件为封装材料导致或电池片浆料接触导致的失效。本发明还提供了相应的装置。
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本发明公开了一种应用于NVM芯片的失效位图分析方法，该方法从芯片外部由具有位图分析功能的测试仪输入HV信号，测试芯片的擦除、编程、读取功能，用位图分析方法进行分析，存储单元阵列中，缺陷附近的行或列在位图中表现为读取错误，远离缺陷的行或列在位图中表现为读取正确，根据位图反映的缺陷特征信息分析失效机理和定位失效位置。本发明通过改进常规的失效位图分析方法，将HV信号由芯片内部Pump电路模块产生改为由芯片外部测试仪输入，从而在NVM存储阵列全部存储单元Read失效的情况下，得到了失效芯片的具有缺陷特征的位图信息，不仅突破了常规位图分析方法的限制，而且大大提高了位图分析定位的有效性和适用范围。
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本发明提供了一种晶振失效分析的方法，包括以下步骤：A、对需要分析的晶振样品进行外观分析，寻找可能的失效原因；B、对需要分析的晶振样品进行电学测试，测出频率、等效串联电阻和最大阻抗；C、对需要分析的晶振样品进行开封，并进行电学测试；D、使用光学显微镜对开封后的晶振样品进行内部观察；E、使用扫描电子显微镜对开封后的晶振样品进行内部观察；F、综合分析上述步骤得到的结果，总结出晶振样品失效的原因。本发明有如下优点：本发明利用有限的分析仪器，在短时间内快速找到晶振元件失效的原因，分析详尽完整，为晶振的工艺生产的改进提供有效信息。
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本申请涉及失效分析技术领域，具体公开一种器件失效分析定位方法，包括：对扫描探头进行校准，获取校准数据；控制扫描探头对待测器件进行扫描，并获得第一参数信息，第一参数信息用于表征待测器件扫描高度平面的电磁场信息；根据第一参数信息和校准数据，确定待测器件目标高度平面的电磁场信息；根据待测器件目标高度平面的电磁场信息，确定待测器件表面的电学分布；根据待测器件表面的电学分布，确定待测器件的失效位置。基于电磁注入和探测的原理，结合待测器件表面的电磁场信息实现对待测器件的失效位置的分析，相对于传统的失效分析方法而言，成本较低，且无需对待测器件进行破坏，整体失效定位方法可靠性较高。
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