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发明涉及一种基于失效评定图（FAD）的未爆先漏（LBB）分析方法，包括以下步骤：（a）服役状态分析；（b）初始裂纹选择；（c）载荷分析；（d）线弹性应力强度因子（SIF）计算；（e）极限载荷分析；（f）评定点坐标计算；（g）FAD选择；（h）评定点绘制；（i）弹塑性SIF计算；（j）J积分计算；（k）不同裂纹的J积分计算与拟合；（l）结构失效临界裂纹尺寸计算；（m）结构临界泄漏裂纹尺寸计算；（n）LBB准则评估，本发明基于FAD理论，克服了现有规范中弹塑性分析理论基础不足、现有J积分计算手册适用范围有限、有限元建模分析过程复杂，及计算结构失效临界裂纹尺寸和结构临界泄漏裂纹尺寸过程复杂等缺点，提供了一种基于FAD的LBB分析依据。
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本发明提出一种制备半导体失效分析样品的方法，首先对所述测试芯片进行切割形成初始样品并在所述初始样品的一角暴露出所述测试区的切割面，其次再对所述初始样品暴露出所述测试区切割面的一角进行切割，使切割面与所述测试区的排列方向垂直，从而可以准确的测量出所述测试区的特征尺寸。
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本发明公开了一种基于深度度量学习的EDA电路失效分析方法，包括步骤：一、根据原始分布对EDA电路样本进行蒙特卡罗采样，生成蒙特卡罗采样样本，并进行蒙特卡罗仿真，得到失效仿真结果；二、通过步骤一的蒙特卡罗采样样本和失效仿真结果，训练一个能够将失效样本区分出来的深度度量学习模型；三、对待进行失效分析的EDA电路，采用蒙特卡罗采样方法生成足够多的失效分析样本，并利用步骤二中训练的深度度量学习模型对样本进行筛选，筛选出可能失效样本；四、对可能失效样本进行SPICE电路仿真，得到失效的EDA电路并计算出失效率。本发明仿真效率高，可靠性高，在先进工艺大规模电路的仿真分析中具有明显的优势。
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本发明涉及一种半导体器件的机械力失效分析方法，其特征在于，包括以下步骤：对失效器件分析手段，找到失效点，确定失效器件的失效形貌；将失效器件的失效形貌分三大类；对判定为第三类的失效器件做进一步分析；通过复现试验及应力分析，明确器件失效机理，分辨出碰撞力和板级应力失效；根据器件失效机理，针对性的提出碰撞力和板级应力失效的改善措施。
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本发明公开了一种汽车用高强度钢材撞击失效分析判定方法，包括步骤：S1、获取试验材料的弹塑性力学性能数据；S2、进行仿真分析；S3、根据仿真分析结果判定试验材料是否存在失效风险；S4、对试验材料进行试验，获得试验材料在不同应力状态下的断裂试验数据，根据断裂试验数据标定仿真参数，开展失效分析；S5、得出判定断裂结论；S6、优化车身结构；S7、进行整车试验。本发明的汽车用高强度钢材撞击失效分析判定方法，采用GISSMO应力三轴参数分析方法，可以同时反应体积和形状参数的变化，可以提升分析结果与实际工况一致性的判定，可以提高结果判定准确度。
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本申请提供一种封装管壳及半导体晶粒的失效分析方法。该用于半导体晶粒测试的封装管壳包括：壳体和连接引脚；其中，壳体用于将半导体晶粒收容在其内；壳体包括对应半导体晶粒的正面的第一观测窗和对应半导体晶粒的反面的第二观测窗；连接引脚用于与收容在壳体内的半导体晶粒形成连接，在封装管壳通过连接引脚在第一方向上插设在插槽中进行测试时，通过第一观测窗定位半导体晶粒正面的热点；在封装管壳通过连接引脚在第二方向上插设在插槽中进行测试时，通过第二观测窗定位半导体晶粒反面的热点。该封装管壳能够使定位半导体晶粒正反面的热点的过程较为简单，耗时较短，有效缩短了产品的测试周期，提高了产品的测试成功率。
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本发明提供一种多机组概率安全评价的共因失效分析方法及装置，方法包括：识别多机组的各机组内设备独立失效事件、各机组内设备共因失效事件，以及各机组内设备与其他机组间设备共因失效事件；获取机组内共因失效参数和机组间共因失效参数，计算多机组的各机组内设备独立失效事件发生的可能性、各机组内设备共因事件发生的可能性，以及各机组内设备与其他机组间设备共因失效事件发生的可能性。本发明给出了适用于多机组概率安全评价的共因失效分析方法，能够支持多机组概率安全评价与应用。
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一种飞机舱门上位锁机构部件磨损退化与功能退化竞争失效分析方法，属于飞机锁机构部件可靠性分析技术领域。本发明是为了解决现有飞机锁机构的失效分析方法中，需要对部件磨损退化和功能退化分别建模再考虑相关性，分析结果可靠性低的问题。它用非线性漂移布朗运动对部件磨损退化失效进行建模，并用代理模型建立各个磨损退化分部件与功能量之间的函数传递关系，以此寻找功能量的退化规律。FGM copula函数用来建立部件磨损退化量和功能退化量之间的联合概率密度函数，并基于此计算不同失效模式下的竞争失效概率和锁机构的整体可靠度。本发明用于计算飞机锁机构部件的可靠度。
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本发明提供了一种汽车电子中电动机转子漆包线断裂的失效分析方法,包括以下步骤:A、使用扫描电子显微镜对需要进行失效分析的漆包线样品断裂处的金属断口进行观察,分析可能的失效原因;B、使用X射线特征粒子能量谱仪分析漆包线样品表面的元素,通过对比漆包线导线材质设计规格书,分析出可能的失效原因;C、制作漆包线样品的金相切片样品;D、使用扫描电子显微镜观察制作好的金相切片样品,查看漆包线样品是否符合设计规范要求书的指标;E、综合以上步骤得到的结论,分析漆包线样品的失效原因及其失效机理。本发明方法步骤简单清晰易操作,有效对电动机转子漆包线断裂的失效原因进行分析,促进漆包线生产工艺的改进,提高产品质量。
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本发明一种基于疲劳断口分析的钛合金保载疲劳失效判定方法，属于金属材料失效分析技术领域。本发明通过对疲劳失效断口的宏观判断和微观分析，结合钛合金在保载载荷下的失效断口特征评估，判断钛合金失效是否由保载疲劳效应引起，并通过量化断口特征区域评估保载疲劳效应的强弱。本发明能够在未知疲劳载荷历史的情况下通过疲劳失效断口的分析判断是否为钛合金材料和零部件的保载疲劳失效，具有方法简单、可实施性强的优点。
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本发明提供一种嵌入式软件接口失效模式自动识别与分析方法，其包括，步骤1：建立嵌入式软件接口失效模式模型；步骤2：建立嵌入式软件输入接口模型；步骤3：建立嵌入式软件输出接口模型；步骤4：嵌入式软件输入接口失效模式自动识别；步骤5：嵌入式软件输出接口失效模式自动识别；步骤6：对识别出的嵌入式软件输入接口失效模式和输出接口失效模式进行分析，建立嵌入式软件输入失效与输出失效的因果关联，完成嵌入式软件接口失效模式自动识别与分析。本发明提出的嵌入式软件接口失效模式自动识别与分析方法有助于提高嵌入式软件乃至系统的安全性和可靠性。
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本发明公开了一种LNG储罐泄露的失效模式分析实现方法，方法包括：获取LNG储罐泄露的严重度值、频度值及可探测度值；根据LNG储罐泄露的严重度值、频度值及可探测度值的乘积获取风险系数；判断风险系数是否大于预先设置的风险系数阈值，当风险系数大于所述风险系数阈值时，则进行泄露风险高的提示。本发明中准确的根据LNG储罐泄露的严重度值、频度值及可探测度值的乘积获取风险系数，并判断该风险系数是否超出风险系数阈值，也就可根据事故的风险系数准确指导采取相应的控制措施。
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本发明提供一种锂离子电池失效的系统分析方法，包括：统计失效的电池的运行数据，利用电池性能随循环周数或者搁置时间变化曲线的不同斜率，确定电池性能衰减的不同阶段；利用非破坏性电池分析方法确定电池性能衰减的主要原因；将电池性能衰减不同阶段的节点电池进行拆解；将各个组件进行电化学分析和进行物理化学分析，确定各阶段电池性能衰减的原因，进而提出电池失效的根本原因。本方法先利用非破坏性的电池分析方法确定电池衰减的各个阶段，再拆解性能衰减到不同阶段的节点电池，并进行电化学分析及物理化学分析，以确定各个阶段电池性能衰减的原因，进而提出电池失效的根本原因，并为今后电池的性能改进提供依据和方向。
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本发明公开了一种无损分析电池活性物质材料失效的方法，其首先利用三电极电池分别采集正极及负极的容量电压微分曲线特征峰，再通过正极及负极的特征峰在全电池中的叠加，来识别全电池中分别代表正极及负极的特征峰，建立该种电池的特征峰数据库。然后通过失效电池的容量电压微分曲线中的正极和负极特征峰的变化，通过分析判断，判定活性物质衰减情况。本发明公开的一种无损分析电池活性物质材料失效的方法，其可以在不破坏电池的情况下，快速分析判断电池的容量衰减的原因，获知是由正极活性物质失效还是负极活性物质失效引起的，有利于明确对电池的改善方向，方便下一步进行针对性的改善，具有重大的实践意义。
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本发明提供一种半导体芯片失效分析的方法，用于对半导体芯片上的若干半导体结构进行分析，包括：提供待分析半导体芯片，所述半导体芯片中包括多个半导体结构；利用不同的分析方法分别对所述多个半导体结构进行失效分析。本发明的分析方法能够对同一半导体芯片上的不同的三明治结构采用不同的分析方法进行失效分析。
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本发明公开了一种基于器件失效来源的MMC可靠性分析方法，以半桥型子模块MMC为例，通过仿真所得电应力，从元器件到系统进行了可靠性分析。根据元器件级可靠性失效因子，通过可靠性框图和热备用冗余方式得到温度和电压在正常运行条件下和极端条件下对MMC系统级可靠性的影响，以改进现有的可靠性分析方法。从器件级失效率评估到系统级可靠性的分析方法和针对失效来源的分析过程可用于其他系统的可靠性分析，在实际工程中可以作为均衡经济性和可靠性的参考，从元器件失效率出发优化系统可靠性设计。
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本实用新型公开了一种用于TEM样品失效性分析的放置装置，包括样品杆、与样品杆固定连接的样品杯和用于放置待测样品的金属网，金属网包括环形框和固定在环形框中间的金属网格，样品杯包括与样品杆固定连接的杯下部、铰接在杯下部上的杯上部，杯上部的一端通过铰接件铰接在杯下部的一端，杯上部的中部具有圆形的上开口，上开口的上端具有环形的卡置部，卡置部的底面上具有环形的插接部，杯下部的中部具有下开口，下开口的下端具有环形的支撑部，杯下部的上端面上具有与样品杆的水平轴线平行的水平标记线；环形框上具有与杯上部的插接部相配合的环形凹槽。本实用新型具有在费用低且使用效率高的情况下就可以获得TEM样品水平图像的优点。
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本申请公开了一种嵌入在FMEA系统中的失效分析方法及装置，方法包括：采集目标企业的问题数据并存入企业失效问题库，分析企业失效问题库的问题数据以生成经验内容，并基于经验内容生成经验库；利用鱼骨图和产品设计原因图对问题数据分析，得到失效原因，并根据失效原因生成至少一个失效措施；调用经验库的经验内容，生成待分析FMEA项目中的失效模式及失效原因，并将与失效原因对应的至少一个失效措施带入FMEA项目中，经验内容可被横向展开到产品族FMEA中。该方法解决了在做FMEA时，仅针对当前项目产品进行分析，历史经验教训难被识别应用在新项目中，导致生产问题、质量问题重复再发，造成质量损失，影响企业声誉的问题，从而可以有效防止问题再发。
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本发明公开了一种各向异性导电胶膜互连电气失效可视化分析芯片制备方法，所述可视化分析芯片包括芯片和基板，所述芯片包括单晶硅基底和设置在单晶硅基底上的多个凸点尺寸的凸点，所述基板包括二氧化硅基底和设置在二氧化硅基底上的ITO导电线和焊盘，所述可视化分析芯片的制备过程包括以下步骤：芯片的制备、基板的制备、倒装键合，即获得各向异性导电胶膜互连电气失效可视化分析芯片。本发明制备的可视化芯片具有凸点与对应的焊盘透明，能方便、有效地观察键合后导电粒子的微观形态，分析互连电阻与导电粒子捕捉量之间的关系，还具有透光性好、耐高温等优点。
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本申请提供一种芯片失效分析方法、装置、电子设备及介质。该方法在获取第一状态的热熔蜡后，第一状态为软化状态，采用预设嵌入方式，将待研磨样品嵌入第一状态的热熔蜡的一侧，并对第一状态的热熔蜡的另一侧进行塑型，得到第一状态的研磨体；研磨体中待研磨样品保持水平；基于第一状态的研磨体，获取第二状态的研磨体，第二状态为凝固状态；在固定第二状态的研磨体上塑型的热熔蜡后，对研磨体中的待研磨样品进行研磨，得到待分析芯片；对待分析芯片进行失效分析，得到分析结果。该方法提高了研磨稳定性和安全性，也提高了失效分析效率。
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本发明公开一种基于失效物理模型的多芯片组件可靠性分析方法，通过将失效模式与多芯片组件的结构材料等性能参数相关联，建立了一种从多芯片组件失效本质出发的可靠性分析方法；提供一套多芯片组件失效物理分析的规范化流程，该方法实施时并不是依托可靠性寿命数据，而是从多芯片组件的工艺参数信息、材料信息、加工制造、实际使用情况出发进行分析，可有效避免寿命数据不足的难点，减少成本；并且本申请方法从多芯片组件失效的本质出发，刻画产品的失效，为优化多芯片组件结构设计、材料、制造工艺等提供可靠建议，可相对准确地找出产品可靠性薄弱环节，进而得到了与实际情况更为符合的分析结果。
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本发明公开了一种基于透射电子显微镜的陶瓷失效分析方法，利用透射电子显微镜进行失效分析的陶瓷制样方法，包括如下步骤：1)将失效陶瓷样品切割为均匀薄片；2)将得到的圆片研磨到厚度为70-90μm，并在圆片的中央部位磨成深度为50-70μm的凹坑；3)将步骤2)中得到的带有凹坑的圆片放入离子减薄仪中进行减薄。将减薄后的试样进行镀金属膜；利用透射电子显微镜对步骤2)得到的试样进行观察，并进行EDS分析，分析陶瓷材料失效的原因；本发明打破了常规的表面观察法，在高倍数下观察失效材料的表面和内部的形貌，精确地做出成分分析，可以不破坏原子结构的基础上观察不同原子间的结构及内部细小的裂纹，准确地确定失效的具体位置及失效的真正原因。
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本发明提供了一种汽车电子中接触端子的失效分析方法,包括以下步骤:A、使用扫描电子显微镜对接触端子样品进行表面观察;B、使用X射线特征粒子能量谱仪分析接触端子样品表面元素;C、使用X射线光电子能谱进行接触端子样品表面化合物官能团分析;D、制作接触端子样品为金相切片样品;E、使用扫描电子显微镜和X射线特征粒子能量谱仪对制作好的金相切片样品进行观察分析;F、综合分析以上步骤得出的结论,总结出接触端子样品失效的具体原因。本发明方法可快速判断出接触端子的质量好坏以及失效的接触端子的失效原因,可以有效规范汽车电子业界的技术人员进行关于接触端子质量分析的方法,同时也节省大量的分析成本。
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本发明公开了一种基于设备失效数据分析的产品可靠性提升方法，包括以下步骤：S1、采集核电设备的基础信息和故障信息；S2、根据基础信息和故障信息，进行故障模式分析，确定每个类型核电设备的故障模式和对应的失效部件；S3、根据基础信息和故障信息，进行设备可靠性计算和部件可靠性计算；S4、根据故障模式分析结果和来自经验反馈系统的数据，进行共性问题分析，生成产品可靠性提升报告。本发明以实际失效数据作为依托，可以更系统性分析出产品存在的问题与改进方向，比现有的依托经验反馈进行改进的方式，更加精确，可以作为设备制造商产品质量改进的基础，同时也可为设备选型及电厂成本预算提供依据。
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本发明公开了基于材料损伤理论与磨损耦合的接触疲劳失效分析方法，包括步骤：1、提取沿齿廓方向上的二维表面粗糙度；2、基于ABAQUS平台建立二维齿轮副接触有限元模型，将二维表面粗糙度导入到模型的小齿轮齿廓上；3、使用ABAQUS的材料本构关系自定义子程序UMAT定义齿轮材料参数及材料本构关系；4、使用Archard磨损模型计算磨损量及更新齿廓节点坐标；5、使用Brown‑Miller多轴疲劳准则计算疲劳损伤，使用总损伤更新材料属性中的弹性模量、硬化模量与屈服强度。技术效果是：在考虑磨损条件下分析齿轮接触疲劳失效，提高对齿轮接触疲劳失效的机理的认识，降低由齿轮接触疲劳失效导致的生产效益的损失。
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本发明公开了一种电力自动化装置失效分析数据库管理系统设计方法，采用失效分析数据库管理系统对电力自动化装置的失效情况进行归纳汇总管理，失效分析数据库分类划分为人员表、案例表、装置表、插件表、元件表、软件表和术语表，分别用于将电力自动化装置的失效情况分类汇总至失效分析数据库，采用网页的形式快速进行信息交互，安全可靠、交互简单，有效解决现有失效模式管理方法中的信息索引效率低、系统性整理难度大和知识传承困难等缺点，能够快速有效地进行电力自动化装置失效分析案例管理，具有较高的实用价值和广阔的应用前景。
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本申请公开了一种倒装芯片中失效结构的位置标记方法以及分析方法，位置标记方法包括：获取底部填充层中的失效结构在互连结构的阵列中的位置信息，位置信息以阵列的行列数表述；去除至少部分基板以形成暴露于外部的标记面，其中每个互连结构背离芯片的一端皆位于标记面上；在标记面上对位置信息所指示的位置做上标记。本申请提供的倒装芯片中失效结构的位置标记方法以及分析方法，通过去除至少部分基板以形成将阵列中每个互连结构上背离芯片的一端皆暴露于外部的标记面，然后根据失效结构的位置信息在标记面上进行标记，实现了在倒装芯片上对失效结构进行精准标记的目的，进而降低了获取失效结构的横向截面的操作难度。
本发明公开了洪水和飓风耦合作用下立式储罐屈曲失效易损性分析方法。所述方法包括以下步骤：确定立式储罐的基本信息；确定立式储罐受到的作用力；计算出立式储罐的抵抗荷载；计算立式储罐的外部作用力；根据储罐屈曲失效判断依据，建立洪水和飓风耦合作用下储罐屈曲失效的极限状态方程；采用蒙特卡洛模拟方法统计目标储罐发生屈曲失效的次数，计算失效概率；绘制储罐在洪水和飓风耦合作用下的易损性曲线，分析储罐受不同风速、水速、水深和充装率的影响。本发明能精确计算洪水和飓风耦合作用下立式储罐的屈曲失效概率，为化工过程装备多灾种耦合作用下易损性评估提供有力依据。
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本公开提供了一种离心叶轮轮盘失效包容性的分析方法，属于航空发动机技术领域。该分析方法包括建立初始模型，所述初始模型包括离心叶轮的模型和围绕所述离心叶轮的至少一个外围静子件的模型；确定一保留区域，并去除各个所述外围静子件的模型在所述保留区域以外的部分，获得各个所述外围静子件的修正模型；根据各个所述外围静子件的修正模型，计算各个所述外围静子件的总势能；根据所述离心叶轮的模型，计算所述离心叶轮的动能；根据各个所述外围静子件的总势能和所述离心叶轮的动能，判断所述离心叶轮轮盘失效包容性是否满足要求。该分析方法能够通过理论计算方法实现对离心叶轮轮盘失效包容性的分析。
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