本发明公开了一种掺杂失效的分析方法，包括步骤：提供良品硅片；对良品硅片和待测样品硅片进行处理直至露出衬底表面；将良品硅片和待测样品硅片放置在底座上；在良品硅片和待测样品硅片上选定测试图形；设定进行SRP的条件；分别对良品硅片和待测样品硅片上的测试图形进行SRP并得到电阻率或载流子浓度的数据；对良品硅片和所述待测样品硅片的电阻率或载流子浓度的数据进行比较，判断待测样品硅片的掺杂是否失效，估算待测样品硅片的掺杂剂量失效大小。本发明能准确快速验证掺杂相关的失效，以及确认掺杂杂质的差异程度，能大大节省
芯片失效分析的时间和确保失效分析的准确性，为明确工艺原因及提升相关产品的良率发挥重大作用。
声明：
“掺杂失效分析方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1221
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
