为了解决现有技术中失效晶片检测过程极为复杂、检测周期相对较长、容易产生失败检测结果、检测成本较高等一系列问题,本发明提供一种对栅氧化层进行失效分析的方法,包括:用热凝胶将失效晶片倒贴在基片上,所述失效晶片包括衬底及衬底上的栅氧化层;将所述失效晶片的衬底研磨至一定厚度或全部去除所述衬底;用碱性溶液浸泡所述晶片表面;对所述失效晶片进行观测,所述控制栅有损坏时,所述栅氧化层有缺陷;所述控制栅没有损坏时,所述栅氧化层完好。本发明的失效晶片检测方法简单、用时较短、不易失败、成本较低。
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来源：北方有色网
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