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一种Ti3AlC2/Fe基复合材料的无压浸渗制备方法。利用该方法制备得到的复合材料中Ti3AlC2的体积含量为20~80vol%,其余为Fe基合金。复合材料显微结构为陶瓷相Ti3AlC2与金属相Fe基合金各自呈三维空间连续分布,在空间呈网络交叉结构,二者界面结合牢固。该无压浸渗制备方法如下:将不同孔隙率的Ti3AlC2预制体放入氧化铝坩埚内,在其上方放入预先烧制的铁合金铸锭,在高温炉内以10~30℃/min的升温速率加热至1200~1400℃,保温0.5~4h,然后以5~10℃/min的降温速率降温至800℃,再以10~30℃/min的速率降温,冷却后得到Ti3AlC2/Fe基复合材料。该材料具有高强度、高硬度、高耐磨等显著特点,可广泛用于交通运输、军工、机械制造等领域的关键器件。
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一种3D打印用钨铜复合粉末的制备方法,属于金属粉末制备技术领域。本发明采用平均粒径均为0.5~3μm的钨粉和铜粉作为初始原料配制料浆,然后对料浆进行喷雾干燥,获得微米级别的钨铜复合粉末。并通过调节雾化器频率等参数,控制造粒粉末的形貌以及粒径分布;最后对造粒后复合粉末进行热处理,通过脱胶和致密化固结作用,获得球形度、流动性和氧含量满足3D打印要求的球形钨铜复合粉末。本方法与其他工艺方法相比,可得到熔点差异较大的两相复合球形粉末,且粉末粒径易于控制,工艺流程简单,成本较低。
1115
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用于CT球管的金属陶瓷管壳及其制备方法,其特征在于采用颗粒尺寸3.0‑3.5μm的TiC粉、45‑60nm的TiN粉、2.5‑4.0μm的Ni粉、2.5‑4.0μm的Fe粉、1.5‑2.2μm的Mo粉、3.0‑3.5μm的C粉、2.0‑2.8μm的Ce2O3粉、2.0‑2.8μm的Cr3C2粉和50‑80nm的W粉配制合金粉末,并在合金粉末中加入适量多壁碳纳米管,经烧结成型后获得的金属陶瓷管壳具有良好的强韧性和优异的使用效果。
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本发明提供了一种有机物包覆合金粉末制备高性能粉末冶金制品的方法,属于粉末冶金的领域。采用溶液覆膜的方法在合金粉末表面包覆一层有机物薄膜,将有机物溶于溶剂在合金粉末表面形成一层液膜,溶剂去除后,有机物可以均匀包覆在合金粉末上,不用任何化学反应,在合金粉末表面包覆一层有机物薄膜,达到将易氧化的合金粉末和氧气隔绝的目的。易氧化的合金粉末表面能大容易和氧气反应,并且成形过程中氧含量的增多导致成形合金部件机械性能较差,使用有机物包覆,可以有效达到在成形过程中控氧的作用,并且在成形过程中经过包覆处理能够提高合金粉末的抗氧化性,利于成形后仍保持较低的氧含量及优良的机械性能。
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本发明涉及一种汽车空调压缩机用铝合金半球及其制备方法,属于汽车材料技术领域。该铝合金半球由Al‑Cu‑Mg‑Si铝合金基体及其表面的Ni‑(Mo或W)‑P‑Gp镀层组成,其中Gp为石墨。本发明采用粉末冶金工艺,选用超细尺寸的Si颗粒与Al、Cu、Mg粉末进行混粉,通过冷压、热压制备出平均粒径≤5μm的Si组织的Al‑Cu‑Mg‑Si铝合金;在半球毛坯表面进行镀覆具有热稳定性能、耐磨性、抗腐蚀性的Ni‑(W或Mo)‑P‑Gp镀层,提高半球零件的使用寿命,替代碳钢半球。采用该制备方法制备的半球铝合金基体中Si颗粒组织细小、强度和硬度优良,表面镀Ni层具有耐磨损、耐腐蚀等优异的综合性能。
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本发明涉及一种负载点电源模块的3D集成结构,包括盖板结构、围框结构、DPC基板、HTCC基板、散热铜片,围框结构焊接在HTCC基板上,盖板结构采用平行缝焊焊接在围框结构上,围框结构、HTCC基板和盖板结构三者共同保持电源模块内部形成密封腔体;DPC基板的厚金属层电流承载能力≥20A,其上放置支架电感器、芯片、陶瓷电容器、钽电容器,DPC基板整板布线损耗≤0.5W;HTCC基板正面与反面中心区域设计方形凹腔结构,包括顶部凹腔和底部凹腔,其中顶部凹腔放置芯片,底部凹腔放置陶瓷电容器与电阻器。本发明芯片在DPC基板上的双面互联减小了金属层走线围成的环路面积,降低了布线寄生阻抗及其带来的损耗,进而提高了负载点电源模块的效率。
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本发明涉及一种用于爆炸成型弹丸药型罩的单相钨合金及其制备方法,属于特种金属材料技术领域。所述钨合金中镍的质量分数为35~90%,钨的质量分数为10~60%,以镍为溶剂钨为溶质得到面心立方结构的镍基固溶体合金,其密度大于10g/cm3,相比现铜提高10%以上,屈服强度约为270~350MPa,伸长率达到53%以上,从而满足EPF药型罩在炸药爆轰的高温、高压、高应变速率的极端加载条件下,经历极大的塑性变形而不发生动态失效的使用要求,有效提高EFP的威力性能。所述钨合金采用粉末烧结法制备,能够根据药型罩的实际质量和结构设计,由生坯至最终产品的材料利用率高,利于批量生产,无毒无放射性。
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本发明公开了一种基于液态阴极‑可溶性含钛阳极直接电解制备钛合金的方法,属于有色金属提取技术领域。该方法包括以下步骤:将阴极金属放置于盛有熔盐电解质体系的密闭电解槽中,升温熔化制备液态阴极和熔盐电解质;将采用碳热还原高钛渣、钛铁矿等制备的Ti‑C‑O、Ti‑C‑O‑N或硫热还原制备的Ti‑S及Ti‑C‑S化合物悬浮熔炼制备结构致密大尺寸成型阳极;在无低价钛离子熔盐电解质体系中,采用0.1‑0.5A cm‑2的电流密度直接进行电解制备钛合金。本发明工艺流程短、操作简便,无浓硫酸、氯气等腐蚀性及污染性化学试剂的使用,整个制备过程环境友好,无废水及废气的产生,且对设备要求较低,首次提出直接采用阳极钛源联合液态阴极制备钛合金的方法。
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一种铝掺杂的氧化锌基热电材料及其制备方法,属于环境友好的新能源材料领域。该氧化锌基热电材料化学组成为Zn1-xAlxO(0≤x≤0.20);其电导率为65~1100S·cm-1,热导率为8~35W·m-1·k-1。制备该铝掺杂的氧化锌基热电材料采用Zn(OH)2和Al(OH)3粉末按照Zn1-xAlxO化学计量配比,0≤x≤0.20;将配比好的原料粉末进行球磨混合;放入刚玉坩埚100~550℃焙烧;将焙烧后的粉末装入石墨模具烧结,烧结温度为500~1200℃,即得到所述铝掺杂的氧化锌基热电材料。本发明更容易地实现掺杂;能获得高致密度的材料;获得的材料具有良好的机械性能和热电性能。
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本发明公开了一种利用透明陶瓷制备LED的方法,具体为:将设定量的荧光粉加入到透明陶瓷粉体中,荧光粉的掺入比例为0.01到100wt.%;将原料充分混合后,采用陶瓷制备工艺制备出荧光透明陶瓷;将制备出的荧光透明陶瓷和半导体芯片组装形成LED器件。本发明通过用荧光透明陶瓷取代传统LED中的荧光粉层和环氧树脂封装外壳,将荧光透明陶瓷和LED芯片组装成新型LED器件,荧光透明陶瓷具有封装外壳和荧光材料的双重作用,使得通过本发明方法制作的LED器件性能会更加优异。
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本发明提供了一种组合物及由其制备的孕镶块磨损件。所述组合物包括第一组分、第二组分和金刚石,其中,所述第一组分包括铜、锡、锌、铅和硬脂酸锌,所述第二组分为石蜡和/或环氧树脂。
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本发明为立体集成阵列式整流二极管模组封装结构及方法,其主要选用高可靠陶瓷外壳及金属盖板为封装材料,首先在外壳基座内部通过芯片定位装置进行焊片及芯片高精度安装,通过焊接实现芯片与外壳基座焊接,再通过硅铝丝实现芯片与外壳互连连接,最后通过平行缝焊实现金属盖板与外壳密封封装。本发明方法的应用,实现了立体阵列式整流二极管封装,大大提高整流二极管应用范围,纳米银膏和平行缝焊多温度梯度焊接方式可以起到优良的散热以及高可靠气密性封装,拓宽了器件应用场景。
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本发明提供了一种自耦式脉冲电流泄放装置。该装置包括:多个串联连接的单元弧仓,在单元弧仓整体的两端分别设置1个钨铜泄放电极,每两个单元弧仓中间设置电位触发板及电位控制电极,该电位控制电极连接控制电路,每个单元弧仓内安装多个电弧粉碎板,单元弧仓的外壳为氧化铝陶瓷密封管,在单元弧仓的内部充满了预设压力的惰性气体,在电弧粉碎板之间、电弧粉碎板与钨铜泄放电极、电弧粉碎板与电位触发板之间通过环形陶瓷隔片实施压接。本发明的自耦式脉冲电流泄放装置可以满足机动式小区域野战电源防雷装置的基本要求,实现了多脉冲雷电防护即:直击雷多脉冲5次连续雷击;感应雷多脉冲10次连续雷击:雷闪单脉冲1次连续雷击。
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一种含钼铁基粉末冶金材料的制备方法,原料是在铁粉中添加二硫化钼粉末、有机润滑剂或者其他合金粉末,然后再进行压制和烧结等处理。本发明的特点是以二硫化钼的形式向铁基材料中添加钼元素,利用二硫化钼优良的润滑性能,减少混合粉末中有机润滑剂的使用量,提高压坯的密度,同时可以降低生坯烧结时有机物挥发所产生的孔隙。材料在高温烧结阶段,二硫化钼中的钼元素扩散固溶到基体铁中增加材料的强度;二硫化钼中的硫与铁形成低熔点液相促进烧结体密度的增加,同时硫化亚铁的生成有助于提高铁基零件的切削性能和润滑性能。使用本发明制备的含钼铁基材料相比于传统的含钼预合金铁粉制备的材料,表现出更高的硬度、拉伸强度和切削性能等。
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本发明涉及一种高矫顽力共伴生稀土永磁体及其制备方法。该永磁体包括毛坯磁体和渗透重稀土HR,其中HR按质量百分比含量计算占最终永磁体的比例为:0<HR<2%;该永磁体通过如下步骤制备的:共伴生稀土毛坯磁体制备、涂覆渗透及渗透热处理;所述渗透重稀土HR是选自重稀土元素Tb、Dy和Ho中的一种或多种元素,来自于涂覆渗透步骤中的渗透材料,该渗透材料选自相应重稀土的金属、合金、氟化物、氧化物、氟氧化物中的至少一种。本发明通过渗透方法加入重稀土元素,对共伴生稀土永磁体的矫顽力进行改善,不仅可以在保证磁体性能的前提下,减少重稀土的使用节约生产成本,可以使共伴生磁体应用于高端领域。
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本发明提供了一种掺杂氧化石墨烯增强ODS铜的制备方法,属于铜基复合材料制备技术领域。以雾化的Cu‑Al合金粉作为原料,向其中掺杂氧化石墨烯引入氧,与基体中的Al扩散结合形成Al2O3纳米粒子均匀分散在基体中,同时失去含氧官能团的石墨烯作为第二增强相分散在基体中,结合粉末冶金技术及后续塑性加工获得致密、强度高、加工性能优良的石墨烯增强ODS铜复合材料。本发明技术在提高铜基复合材料强度的同时又保证了其传导性能,石墨烯的加入也改善了传统ODS铜难加工的问题,适合大批量工业化生产。
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本发明公开了半导体材料硫化方法。本发明提供的方法包括以下步骤:将硫源与半导体材料置于不完全密封的容器,将所述不完全密封的容器置于反应器中加热进行硫化反应,得到硫化的半导体材料。本发明提供的半导体材料硫化方法可使半导体的晶粒尺寸变大,从而更好地晶化。对于作为太阳能电池吸收层材料的半导体,还可以使其衍射峰变强,并使其吸收更多的光。采用本发明提供的硫化方法对非晶硅太阳能吸收层材料进行硫化,可以使其带隙更加接近于硅材料的带隙。本发明提供的方法可以对被处理的半导体起到退火作用,特别适用于铜锌锡硫薄膜的硫化退火,且该方法中使用的装置简单,易于进行大规模生产。
一种利用块状烧结钕铁硼加工废料制备高温稳定性再生烧结钕铁硼磁体的方法,属于磁性材料技术领域。本发明采用稀土氢化铽纳米粉末掺杂技术再生烧结钕铁硼加工废料制备高性能烧结NdFeB永磁。本发明步骤为:氢爆和气流磨工艺制备NdFeB粉末;物理气相沉积技术制备氢化钕纳米粉末;将两种粉末混合,磁场取向并压制成型;压坯在不同温度下进行脱氢处理,烧结及热处理,获得烧结磁体。采用本发明制备的再生磁体具有超高矫顽力而表现出较好的高温稳定性,而剩磁和磁能积接近原始磁体水平。本发明方法工艺流程短,成本能耗低,节约资源。
一种利用块状烧结钕铁硼加工废料制备高性能再生烧结钕铁硼磁体的方法,属于磁性材料技术领域。本发明采用稀土氢化钕纳米粉末掺杂技术再生烧结钕铁硼加工废料制备高性能烧结NdFeB永磁。本发明步骤为:氢爆和气流磨工艺制备NdFeB粉末;物理气相沉积技术制备氢化钕纳米粉末;将两种粉末混合,磁场取向并压制成型;压坯在不同温度下进行脱氢处理,烧结及热处理,获得烧结磁体。采用本发明制备的再生磁体各项磁性能可以回复到原始磁体水平。本发明方法工艺流程短,成本能耗低,节约资源。
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本发明公开了属于电解电容器的制备技术范围的涉及应用于高功率的一种钽钌混和式电解电容器及其制备方法。所述混合式电容器的结构包括圆柱型、片式和片式串联电容器结构,由烧结型钽阳极。电解液和氧化钌阴极密封在钽外壳内构成兼具了钽电解电容器和氧化钌超级电容器特点的钽钌混和式电解电容器。烧结型阳极采用高比容钽粉作为原料,通过称料—成型—烧结—赋能等工艺流程制备出片状阳极。氧化钌阴极采用钛金属为电极基体,氯化钌、氯化铱及钛酸四丁酯为反应前驱体,采用380℃氧化烧结处理获得金属氧化物阴极,氧化钌阴极表面制备树脂微突点阵以代替传统隔膜。本发明有望在电子、汽车、航天、军事等多种领域获得广泛应用。
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本发明提供了一种用低温超声喷雾热转换法制备的WO3-CuO纳米级复合氧化物粉末, 平均粒径≤30nm。经低温300~750℃, 30~60分H2气还原制备成纳米级W-Cu合金粉末(平均粒径≤80nm), 再经高速剪切粉碎, 钢模压制成形和H2气保护1100~1450℃烧结, 或真空或真空-中压烧结, 或(HIP)热等静压烧结可制成超细晶粒W-Cu合金。其优点为合金的相对密度可达98~99.5%; 真空-中压烧结或HIP处理, 残留孔隙<0.01%。合金中的W晶粒平均粒径≤1.5μm。
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本发明属于稀土永磁材料领域,特别提供了一种主相晶粒间强去磁耦合烧结钕铁硼的制备方法。其特征是在钕铁硼合金粉中添加适量的硫粉和低熔点稀土-铜铝合金粉混合均匀,经过磁场压型并烧结致密化,再经热处理后得到产品。本发明适用于任何成分主晶相为2:14:1的钕铁硼磁体,其优点是,烧结过程中硫受热气化实现对磁粉颗粒与晶粒的气相隔离,同时低熔点稀土-铜铝合金与2:14:1相具有良好的润湿性,制备的烧结钕铁硼磁体主相晶粒被完全隔开,从而获得高矫顽力。
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本发明属表面为多孔层人工关节的制造工艺。 该种关节置入人体可不用骨水泥,避免了使用骨水泥 的弊病。该发明解决了形成表面为多孔层的颗粒制 造,粘接方法,据主要技术特征是将一定尺寸的球形 颗粒材料烧结在人工关节柄部表面上。 临床使用该方法制造的人工关节置入人体后,结 合牢固,无毒性,无副作用,使用寿命长。 此种方法可用于各种人工关节的制造。
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本发明涉及一种应用于超高温感应加热的发热材料及其制备方法,属于发热材料领域。本发明的发热材料,各组分质量百分比为:二硅化钼粉20~85%;二硼化锆粉5~70%;碳化硅粉2~20%;粘结剂1~10%;增塑剂1~10%;润滑剂1~10%;水5~20%。本发明发热材料的制备方法为,将二硅化钼粉、二硼化锆粉、碳化硅粉和粘结剂加入球磨机中,与无水乙醇共混;将共混后的泥浆经干燥得到粉料过筛;增塑剂和润滑剂与水混合后加入过筛后的粉料中,再用练泥机练泥成泥料;泥料经陈腐后采用真空挤出工艺成型;挤出成型的生坯经干燥、脱脂处理后,在1600~1900℃条件下烧结1~3小时,得到目标产品。本发明制得的超高温感应发热材料在氧化性气氛中的最高使用温度可高达1800~1900℃。
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一种粗颗粒及超粗颗粒硬质合金的制备新方法,包括以下步骤:(1)将硬质相原料破碎后,进行粒度分级,获得所需平均粒度及粒度分布的硬质相粉末;(2)将经预处理的硬质相粉末放入物理气相沉积粉体镀膜机中,在硬质相粉末表面镀粘结相,获得粘结相重量百分含量在3%~20%的混合料;(3)向获得的混合料中通入氩气钝化后过筛,然后掺入1~8wt%成型剂,干燥后过筛;(4)采用模压、等静压、注射成型或者挤压成型的方法获得所需要的形状。(5)对成型后的产品进行脱蜡处理,脱出其中的成型剂,然后在1300~1450℃烧结1~2小时。采用本发明的方法制备的硬质合金,粘结相分布均匀、硬质相邻接度低,颗粒粗,没有杂质污染。
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一种热等静压低温烧结制备高磁性烧结钕铁硼的方法,属于稀土磁性材料技术领域。本发明将烧结钕铁硼磁粉进行半致密化烧结,致密度为85%~95%;再将粘度为100~500mpa.s的含重稀土化合物的悬浊液涂覆在半致密化烧结钕铁硼周围,再进行真空玻璃封管,采用热等静压700~900℃低温烧结、400~500℃回火,制备得到高密度高磁性的烧结钕铁硼磁体。Dy2S3、Dy2O3、Tb2O3、DyF3或DyH3等涂层与半致密烧结钕铁硼磁体之间存在较好的附着力,在热等静压低温烧结过程中,重稀土元素沿着晶界和孔隙进行扩散,在各个方向的气体压力下,扩散速率更快,有效地提高了扩散深度和扩散均匀性;同时,有效提高了磁体的烧结密度,细化晶粒尺寸。
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本发明公开了一种碳化硅陶瓷空间反射镜的数字光处理增材制造方法,包括以下步骤:利用三维制图软件建立空间反射镜三维模型的步骤;制备满足3D打印要求的SiC陶瓷浆料的步骤;利用3D打印工艺将步骤二得到的SiC陶瓷浆料按照步骤一的空间反射镜三维模型打印成SiC空间反射镜生坯的步骤;对步骤三得到SiC空间反射镜生坯进行脱脂的步骤;对步骤四脱脂后的SiC空间反射镜进行液相无压烧结的步骤;对步骤五烧结后的SiC空间反射镜进行CVD处理和镜面抛光处理的步骤。本发明具有制造精度高、成型速度快、且可实现极其复杂SiC陶瓷结构的制备等优势。通过本发明的方法,成功制备了SiC空间反射镜。
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一种烧结钕铁硼磁体,其主要成分包括稀土元素R,添加元素T,铁Fe和硼B,拥有富稀土相和具有Nd2Fe14B晶体结构的主相,其特征在于:所述磁体的最大磁能积(BH)max,单位MGOe,与内禀矫顽力Hcj,单位kOe的数值之和不小于70,即(BH)max(MGOe)+Hcj(kOe)≥70。这种烧结钕铁硼磁体的制造方法包括熔炼合金、制粉、混粉、压型、烧结和热处理工序。本发明通过控制成分配方和优化工艺条件,使主相在磁体中保持适当的比例且较高的磁体主相晶粒的取向度,优化边界富稀土相和微结构,使得烧结钕铁硼磁体同时具有高的最大磁能积和高的内禀矫顽力,从而获得(BH)max(MGOe)+Hcj(kOe)≥70的超高性能的烧结钕铁硼磁体。
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本发明涉及一种低阻降过滤材料及其制备方法,属于高温烟气过滤、多孔材料、高通量过滤材料技术领域。该材料由金属纤维毡基材与附着于其表面的金属粉末膜层复合而成,金属粉末膜层的原料包括:Fe‑Al系金属间化合物和/或NiCrAlFe金属间化合物。该材料的制备方法如下:首先,将所述金属间化合物粉末与胶液混合,经充分搅拌制得金属粉末悬浮液;其次,在金属纤维毡基材过滤精度高的一面喷涂所述金属粉末悬浮液,得到喷涂后材料;最后,将所述喷涂后材料干燥处理后再进行烧结处理,最终得到所述低阻降过滤材料。本发明提供的材料解决通量小、阻降高、耐高温和耐硫腐蚀性能差、结构形式单一的问题,喷涂层厚度、过滤精度可控,成本低。
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一种钛合金人造生物关节的快速制造方法,通过CT扫描获得患者体内患部关节的三维模型,根据收缩比将模型按相应比例放大,然后通过3D打印快速制得关节的弹性型腔负模,于氩气环境中将钛合金粉均匀松装在型腔负模中并封口,经冷等静压高压成型制得多孔钛合金关节型坯,在型坯表面喷涂不同粒度甚至纳米级的钛合金料浆以构建孔隙梯度表层,再利用生物剂料浆对关节型坯进行生物改性,经表面处理后将坯体真空烘干-脱脂-烧结,得到多孔钛合金人造生物关节。本发明根据个人数据进行关节外形定制,制品生物适配性好;通过孔隙度梯度结构设计及生物改性,制品生物相容性好;通过控氧手段,制品杂质含量少、性能高;生产周期短、工艺稳定性高、重复性好、成本低。
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