CMP20化学机械抛光机
通过将产品固定在抛光头的较下面，抛光时，旋转的抛光头以一定的压力压在旋转的抛光垫上，抛光液在抛光垫的传输和离心力的作用下，均匀分布其上，在硅片和抛光垫之间形成一层抛光液液体薄膜。抛光液中的化学成分与产品表面材料产生化学反应，将不溶的物质转化为易溶物质，或者将硬度高的物质进行软化，然后通过磨粒的微机械摩擦作用将这些化学反应物从产品表面去除，溶入流动的液体中带走，即在化学去膜和机械去膜的交替过程中实现平坦化的目的，通过先进的工艺可实现纳米级别的粗糙度效果。
技术参数：
基础配置：
抛光头模块：气膜加压，六个分区较为立控制
摩擦力模块：利用电机电流表征摩擦力
样品加工能力：2/4/6英寸
抛光实现方式：触屏程序控制
抛光头下压力：0~4 psi（4英寸）
抛光头转速：0~300 rpm，连续可控
抛光盘转速：0~300 rpm，连续可控
修整器转速：0~300 rpm，连续可控
抛光头/修整器往复：行程90 mm，速度连续可控
抛光液：1路，蠕动泵供液，流速0~300 mL/min
去离子水：1路，蠕动泵供液，流速0~300 mL/min
升级配置：
电化学模块：电位范围±10 V，电流范围±250 mA，支持三电较为、两电较为体系，支持多种测量方法，如循环伏安法等。
紫外光模块：波长λ=95 nm的紫外光源、发光面积1020*100（mm）、耗电功率200W、相对光效2000W、能量峰值614mW。
案例
铜图案化晶圆
金属基底
596 
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