ITO靶材就是氧化铟和氧化
锡粉末按一定比例混合后经过一系列的生产工艺加工成型,再经高温气氛烧结(1600度,通氧气烧结)形成的黑灰色陶瓷半导体。高温ITO靶材炉的烧结高度一直是困扰国内ITO管靶材制造商的问题，恒通针对市场需求，引进国外现金技术理念，不断研发改进，推出性能卓越的ITO靶材烧结炉，助力国内高端靶材市场，提供大尺寸平板烧结炉，管靶烧结炉，为国内靶材制造商烧结工艺增加了更多的选择。恒通最新推出的管靶炉不仅在高度上面有所变化，而且升降装置也跟之前有所不同。
广泛应用：精细陶瓷、电子元件、磁性材料、靶材材料、玻璃、冶金、化工、机械、耐火材料、
新材料开发、特种材料、建材等领域。
技术参数：
1. 额定温度：1700℃
2. 长期工作温度：1650℃
3. 电压：380V，50HZ
4. 炉膛材质：陶瓷纤维，保温性能好，耐高温，耐急冷急热
5. 加热元件：硅钼棒
6. 测温元件：B型双铂铑热电偶
7. 气氛：氧气或氮气
8. 控温精度：±1℃
9. 炉温均匀性：±2℃(根据加热室大小而定)
10. 控温方式：PID自整定、自动升温、自动保温、自动降温
11. 多重保护(超温、超流、断偶断电等)
12. 炉体经精致喷塑耐腐蚀耐酸碱，炉体与炉膛隔离，采用风冷，炉体温度接近室温
注：可根据用户要求另行设计制造，更多规格参数及星系技术方案请来电咨询!
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