立式化学气相沉积炉（SiC、BN）
立式化学气相沉积炉（SiC、BN）是专为冶金及材料科学领域设计的高端设备，广泛应用于外延片基座、晶体炉高温耐材、热弯模具、半导体坩埚、陶瓷基
复合材料等的表面涂层、基体改性及复合材料制备。设备采用先进的控制技术，能够精密调控MTS流量和压力，确保炉膛内沉积气流稳定，压力波动极小。其全密闭沉积室密封效果好，抗污染能力强，多通道工艺气路设计实现流场均匀，无沉积死角，沉积效果优异。此外，设备配备多级高效尾气处理系统，能有效处理高腐蚀性尾气、易燃易爆气体、固体粉尘及低熔点粘性产物，环境友好且安全可靠。最高温度可达1500℃，温控精度为±5℃，适配真空、CH₄、H₂、N₂、Ar、BCI₃、NH₃、MTS等多种工艺气氛，满足复杂的冶金及材料制备需求。
核心参数
非金属电热元件：其他
金属电热元件：其他
烧结气氛：真空
温控精度：±5
最高温度：1500
额定温度：1500
产品描述：
立式化学气相沉积炉（SiC、BN）可用于材料的表面涂层、基体改性、复合材料制备等
应用范围：
外延片基座、晶体炉高温耐材、热弯模具、半导体坩埚、陶瓷基复合材料等
技术特征
采用先进的控制技术，能精密控制MTS的流量和压力，炉膛内沉积气流稳定，压力波动范围小；
全密闭沉积室，密封效果好，抗污染能力强；
多通道工艺气路，流场均匀，无沉积死角，沉积效果好；
多级高效尾气处理系统，能有效处理高腐蚀性尾气、易燃易爆气体、固体粉尘及低熔点粘性产物，环境友好；
可选配新设计的防腐蚀真空机组，持续工作时间长，维修率极低；
使用工艺气氛：真空/CH4/H2/N2/Ar/BCI3/NH3/MTS。
产品规格
配置选择
结构形式：卧式-单开门/双开门；立式-上出料/下出料
炉门锁紧方式：手动/自动
炉壳材质：内层不锈钢/全不锈钢
加热器、马弗材质：石墨/CFC/金属
热电偶：K/N/C/S分度号
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