等离子体增强化学气相沉积PECVD
等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是一种在冶金和材料科学领域广泛应用的技术，它通过利用等离子体的活性来增强化学反应速率，实现高质量薄膜的沉积。这种设备在制备高性能的金属和非金属薄膜方面具有重要作用，尤其是在需要精确控制膜厚、成分和结构的应用中。
等离子体增强化学气相沉积PECVD设备主要由高真空获得与测量系统、样品台、平行板式辉光等离子体电极系统、气路系统及电气控制系统等五部分组成。高真空机组采用复合分子泵和机械泵组成，确保了极限真空度达到≤6.7×10^-5Pa，漏率≤10^-7 Pa•L/s，为PECVD过程提供了理想的高真空环境。大面积样品台，衬底可加热，平行板式辉光等离子体电极Ø400，可在线升降，这些设计使得设备能够处理各种尺寸和形状的样品，适用于多种材料的薄膜沉积。
一、 设备主要功能及组成
1. 设备主要由高真空获得与测量系统、样品台、平行板式辉光等离子体电极系统、气路系统及电气控制系统等五部分组成。
2. 高真空机组采用复合分子泵和机械泵组成。
3. 大面积样品台，衬底可加热。
4. 多种工艺气体可选，气路系统定制。
5. 可选配膜厚控制仪，进行在线测量和监控。
6. 电气控制系统具有多种报警功能，能及时提示故障情况，保障设备安全运行。
二、 主要技术参数
1． 真空室尺寸：Ø450×450（可定制）
2． 极限真空度：≤6.7×10-5Pa
3． 漏率：≤10-7 Pa•L/s
4． 样品台：可旋转、衬底加热
5． 平行板式辉光等离子体电极：Ø400，可在线升降
6． 气路系统：定制（采用高精度MFC质量流量控制器）
7． 可选配工艺系统：手套箱工作站、样品预处理室、自动样品库等
8． 供电电源：380V 50Hz（三相五线制）
9． 进水排管径：DN25
10． 工作水压：0.2Mpa
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