本发明提供了一种二维易调控Ba
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0.35BiO
3薄膜的制备方法，包括：A)将钡源、钾源和铋源按比例混合球磨，预烧结、挤压成形、坯体烧结得到Ba
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3靶材；B)Ba
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3靶材通过脉冲激光沉积在单晶衬底上生长Ba
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3薄膜。本发明所述Ba
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3靶材呈单一结构相，表面平整，均匀性好，相对致密度为90.94％，大于90％，与脉冲激光沉积仪贴合率达到99％。然后通过脉冲激光沉积在单晶衬底上生长出二维易调控Ba
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3薄膜。所述Ba
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3薄膜呈立方
钙钛矿结构，表面平整，稳定性好，结晶性很好，生长周期短，在高温超导领域具有很大的应用潜力。本发明制备方法简单，参数可控，重复性高。
声明：
“二维易调控BaKBiO薄膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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