本发明公开了一种阴离子掺杂的
钙钛矿型混合导体透氢膜材料及其制备方法与应用，属于混合导体膜材料领域。该材料的化学通式为：ACe1‑bBbO3‑δ‑c/2Xc，其中，A为Ca、Sr、Ba中的至少一种；B为Fe、Co、Ni、Nd、Tm、Y、Yb、Zr中的至少一种；X为F、Cl、Br、I中的一种；δ为非化学计量比，0.1≤b≤0.9，0≤c≤1。本发明的材料可采用固相反应法和EDTA‑柠檬酸混合络合法制备。本发明提供的阴离子掺杂的钙钛矿型混合导体透氢膜材料，阴离子的掺杂提高了膜材料的氧空穴浓度，大幅度地增加了膜材料的氢气渗透量，可用于从含氢混合气中选择分离氢气，也可以与涉氢反应耦合构筑膜反应器。
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“阴离子掺杂的钙钛矿型混合导体透氢膜材料及其制备方法与应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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