本发明公开了一种硅片薄膜的生长方法，包括：测得一控制硅片中央位置与周边位置的薄膜厚度比；利用所述厚度比在硅片上进行第一次薄膜生长；在第一次生长的薄膜上进行光刻胶旋涂；利用硅片周边曝光系统对硅片周边位置进行曝光，经显影后将部分光刻胶去除；通过刻蚀将硅片部分薄膜去除；去除剩余的光刻胶后，利用所述厚度比进行第二次薄膜生长，通过两次薄膜生长使薄膜达到要求的厚度。本发明所述硅片薄膜的生长方法，能使硅片上生长的薄膜其中央位置和周边位置的薄膜厚度一致，减少硅片周边
芯片的失效率，提高产品的成品率。
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来源：北方有色网
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