本发明公开了一种分辨SiC MOSFET在体二极管重复浪涌电流下退化原因的方法，通过单次浪涌电流实验确定SiC MOSFET体二极管的单次浪涌电流能力，测量SiC MOSFET的静态特性和动态特性，进行重复浪涌电流试验，比较浪涌电流实验后SiC MOSFET的静态特性、动态特性以及提取的参数的退化，分辨器件的退化原因，确定SiC MOSFET的退化原因中是否包含双极退化，比较体二极管特性以或体二极管压降的变化，确定SiC MOSFET的退化原因中是否包含封装退化，是否包含栅氧退化，比较小电流下的转移特性或阈值电压的变化，实现了退化原因的有效解耦，有利于了解器件的失效机理。
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来源：北方有色网
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