本发明提供一种PCRAM读取偏置电压确定方法,根据PCRAM存储单元低阻、高阻均值及标准差,确定PCRAM读电路偏置电压,具体实现步骤如下:(1)PCRAM存储单元低阻、高阻均值u及标准差σ测定。(2)根据存储阵列容量允许出错率,计算N值,当低阻阻值上限值小于u-+N-σ-,高阻阻值下限值大于u+-N+σ+时,低阻与高阻正确率与分别满足要求。(3)判断u-+N-σ->u+-N+σ+是否成立,是,转步骤(5);否,转步骤(4)。(4)计算偏置电阻值x,使低阻与高阻正确率F-(x)、F+(x)分别处于最大值。以偏置电阻R=x为负载阻值,计算偏置电压。(5)存储阵列失效,改进工艺。
声明：
“PCRAM读取偏置电压确定方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1064
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
