本发明提供一种热电应力下的Flash存储器擦写性能评价方法，步骤如下：一：Flash存储器初筛，对器件样品做一次全片擦写读测试，剔除已失效的器件；二：选择擦写测试算法，选择试验温度分组，模拟不同强度的环境应力；三：进行擦写循环试验，记录各温度组的读出数据错误数量，器件全部失效或到达预设试验时间试验停止；四：筛选试验数据，计算各温度组的平均无故障工作时间θ；五：计算环境温度与该温度平均无故障工作时间函数关系；六：求出常温下平均无故障工作时间；七：根据擦写循环试验中，单次循环所用时间和擦写次数，计算常温下耐擦写次数；八：与该型号器件理论耐擦写次数比较，评价该批次器件擦写性能是否满足要求；通过以上步骤，可以利用擦写次数评价Flash存储器的擦写性能，减少试验时间，为Flash存储器测试与评价提供充分的可靠性依据，具有实际推广应用价值。
声明：
“热电应力下的Flash存储器擦写性能评价方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1278
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
