本发明涉及电离辐射剂量测量领域,公开了一种对基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计进行退火方法,该方法将经辐照后失效的所述基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计的正栅电极、背栅电极、源电极以及漏电极接至地线,置于95至105℃环境温度范围下退火230至310小时;之后将环境温度升温至145至155℃范围继续退火80～120小时;然后将所述基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计取出置于20至25℃环境温度下测试,与该PMOS辐射剂量计未辐照前数据比对校准。
声明：
“对双探头PMOS辐射剂量计进行退火的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1194
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
