本发明公开了用于功率瞬态抑制二极管使用纳米银浆焊接的方法，涉及半导体封装领域。本发明使用无
铅纳米银颗粒制备的纳米银浆连接功率瞬态抑制二极管
芯片和导电
铜框架；纳米银浆是由纳米银颗粒构成的重量百分比65‑80％的纳米银浆料以及20‑35％的添加剂混合构成的粘合载体；方法包括：清洗铜框架、纳米银浆网印、低温烧结、孔洞检验。本发明纳米银浆解决了传统焊接的二次流动性问题，充分利用纳米银的烧结完成后形成烧结银的高温特性，减少焊接二次流动产生
锡丝、锡尖等问题；减少因为高温导致的芯片划片道的隐裂问题，温度低减少材料之间的热膨胀差异问题，降低产品的失效风险；有利于高可性的应用场景以及温度突变导致的气泡失效问题。
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来源：北方有色网
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