本发明提供一种用于标定3D NAND位线与字线短接的方法，包括以下过程：确定目标地址，并根据目标地址确定目标字线层；将目标字线层以下的所有字线层相电连并施加一能够打开沟道结构的沟道层的电压；将第一探针与目标字线层相电连，将第二探针与衬底上的导电层相电连；在第一探针和第二探针上施加热点抓取条件，利用光发射显微镜进行失效热点定位。本发明方法通过将目标字线层以下的所有字线层相电连并施加一电压，从而将沟道结构内的沟道层打开，使沟道电阻减小几个数量级，从而增大整个回路电流，增强了失效的信号，这样光发射显微镜设备就可以顺利进行失效定位。利用本发明方法可以提早进行纠错，缩短了检测周期，提高了生产效率。
声明：
“用于标定3D NAND位线与字线短接的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1162
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
