本发明公开了一种用于显现MOS器件的AA结构缺陷的腐蚀方法，包括以下步骤：第一步，将样品倒置，放入质量百分比为49%的氢氟酸中浸泡2.5±0.5分钟；在浸泡的同时，每30秒用去离子水冲洗之后，再用氮气枪吹一下样品表面；第二步，如N型MOS管失效，将样品在第一混酸中浸泡5～8秒；如P型MOS管失效，将样品在第二混酸中浸泡30～35秒；第三步，确认腐蚀结果，找出具体的失效模式。本发明针对不同的MOS管，使用不同的混酸来有效、清楚地显现AA结构上的缺陷，能够提高失效分析结果的准确性。
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来源：北方有色网
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